可刷新存儲器英文解釋翻譯、可刷新存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 refreshable memory

分詞翻譯：

可的英語翻譯：

approve; but; can; may; need; yet

刷新的英語翻譯：

break; refurbish; renovate; renovation
【計】 refresh

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

可刷新存儲器（Refreshable Memory）在電子工程領域指需要周期性電荷補充以維持數據完整性的動态存儲設備，其英文對應術語為"Dynamic Random-Access Memory"（DRAM。該技術基于電容電荷存儲原理，因電容存在自然放電現象，需通過刷新電路每64毫秒重新寫入數據一次。

主要特征包含：

動态存儲機制：利用電容器存儲電荷表示二進制數據，相較于靜态存儲器（SRAM）具有更高存儲密度
時序控制要求：依賴精确的刷新時序控制器，典型刷新周期為2ms至8ms
能效比優勢：在相同工藝下，單位比特功耗比SRAM低40-60%

應用領域涵蓋計算機主内存、圖形處理單元顯存及嵌入式系統，現代DDR5内存模塊已實現高達6.4Gbps的數據傳輸速率。國際電子工業聯盟（JEDEC）制定的JESD79-5标準詳細規範了其電氣特性和刷新時序要求。

（參考資料：維基百科DRAM條目、IEEE固态電路期刊第54卷第8期、美光科技2023年技術白皮書）

網絡擴展解釋

可刷新存儲器是指需要定期刷新以維持數據完整性的存儲設備，主要應用于動态隨機存取存儲器（DRAM）領域。以下是具體解釋：

基本定義
可刷新存儲器通過周期性電信號重寫數據，避免因電荷洩漏導緻信息丢失。其核心特點是依賴刷新操作維持存儲狀态，與靜态存儲器（SRAM）的穩定存儲特性形成對比。
技術原理
- 以DRAM為例，每個存儲單元由電容和晶體管構成，電容電荷決定數據狀态（0/1）。
- 由于電容會自然放電，需在毫秒級間隔内通過刷新電路對電荷補充，防止數據丢失。
刷新機制
- 自動刷新：由内存控制器定時觸發，通常在64ms内完成全部存儲單元的循環刷新。
- 自刷新：低功耗模式下，DRAM芯片自主完成刷新，常見于移動設備。
應用場景
主要用于計算機主内存，因其高密度、低成本的優勢，盡管刷新操作會帶來約5%的性能損耗。
相關概念對比
| 類型 | 刷新需求 | 速度 | 功耗 | 用途 |
|---|---|---|---|---|
| DRAM（可刷新） | 需要 | 較慢 | 較高 | 主内存 |
| SRAM | 不需要 | 快 | 低 | 緩存 |
| ROM | 不需要 | 中等 | 低 | 固件存儲 |

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