栅屏电容英文解释翻译、栅屏电容的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grid-plate capacitance; grid-to-plate capacitance

分词翻译：

屏的英语翻译：

screen
【医】 screen; shield

电容的英语翻译：

capacitance; electric capacity
【计】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【医】 capacitance; electric capacity

专业解析

栅屏电容（Grid-Plate Capacitance），在电子工程领域特指电子管（真空管）内部栅极（Grid）与屏极（Plate/Anode）之间存在的固有寄生电容。以下是其详细解释：

定义与物理本质 (Definition & Physical Nature)
- 中文释义： "栅"指控制栅极（Control Grid），"屏"指阳极或板极（Plate/Anode）。"电容"指这两个电极之间因相互靠近且被真空介质隔开而形成的储存电荷的能力。
- 英文释义： The inherent capacitance that exists between the control grid electrode and the plate (anode) electrode inside a vacuum tube (thermionic valve), due to their physical proximity and separation by a dielectric (vacuum or small gap).
- 物理构成：这是由电子管内部物理结构决定的。栅极和屏极是金属电极，它们之间虽不直接接触，但距离很近，中间是真空（或极小的间隙）。任何两个被绝缘介质隔开的导体都会形成电容，栅极和屏极也不例外。这个电容是电子管固有的、不可避免的寄生参数。
数学表示与影响因素 (Mathematical Representation & Influencing Factors) 栅屏电容 ( C{gp} ) 的值由平行板电容的基本公式决定： $$ C{gp} = epsilon frac{A}{d} $$ 其中：
- ( epsilon ) 是电极间介质的介电常数（真空介电常数约为 ( 8.854 times 10^{-12} ) F/m）。
- ( A ) 是栅极与屏极相对的有效面积。
- ( d ) 是栅极与屏极之间的距离。因此，电容值主要取决于管子的物理结构（电极面积、间距）和制造工艺。不同型号电子管的 ( C_{gp} ) 值差异很大，通常在皮法（pF）量级（例如，1pF 到 20pF 不等）。
电路影响与重要性 (Circuit Impact & Significance) 栅屏电容 ( C_{gp} ) 在高频电子电路中至关重要，因为它会带来以下主要影响：
- 高频信号耦合/反馈：在高频工作时，( C_{gp} ) 的容抗 ( Xc = frac{1}{2pi f C{gp}} ) 会变小。这使得屏极电路的高频输出信号能够通过这个电容耦合回栅极输入电路。这种反馈通常是正反馈，可能导致放大器产生自激振荡（Unwanted Oscillation），破坏电路的正常工作稳定性。
- 米勒效应 (Miller Effect)：在共阴极放大器中，栅屏电容 ( C{gp} ) 会被放大。等效到输入端的电容会变为 ( C{gp}(1 + |A_v|) )，其中 ( A_v ) 是放大器的电压增益。这显著增加了输入电容，限制了放大器的高频带宽（Bandwidth Limitation）。
- 输入/输出隔离度降低：它降低了栅极输入电路和屏极输出电路之间的隔离度，特别是在高频下。
应用场景 (Application Context) 栅屏电容的概念主要应用于使用真空管（电子管）的电路分析与设计中，例如：
- 电子管射频（RF）放大器
- 电子管高频振荡器
- 电子管音频放大器的高频响应分析
- 在讨论电子管替代品（如晶体管）时，常将其栅源电容 ( C{rss} ) 或反馈电容 ( C{gd} ) 类比为电子管的栅屏电容。

权威性参考来源：

电子工程经典教材与手册：如《电子管电路基础》、《Radiotron Designer's Handbook》（RDH4）等详细阐述了电子管内部电容及其影响。
真空电子学专著：如《Principles of Electron Tubes》深入讨论了电极间电容的形成机制。
电子管制造商数据手册（Datasheet）：特定型号电子管的规格书通常会明确标注其栅屏电容 ( C{gp} ) 或输入电容 ( C{in} )（包含栅阴电容 ( C_{gk} ) 和受米勒效应影响的栅屏电容分量）的值，这是最直接的工程数据来源。例如，12AX7/ECC83等常用音频管的规格书中包含此参数。
专业电子工程网站与知识库：如维基百科相关条目、IEEE Xplore数据库中的历史论文、专业音响论坛的技术文档等，均会涉及栅屏电容的解释及其对电路性能的影响分析。详见专业文献资料。

网络扩展解释

“栅屏电容”是电子工程领域的术语，结合“栅极”与“屏极”之间的电容特性，常见于电子管或场效应晶体管（如MOSFET）等器件中。以下是详细解释：

1.核心概念

栅极（Grid）：指电子管或多极器件中靠近阴极的电极，通常由金属网或螺旋线构成，用于控制电流强度或调节器件性能。
屏极（Plate/Anode）：即阳极，负责收集从阴极发射的电子，形成电流回路。
栅屏电容：指栅极与屏极之间因物理结构形成的寄生电容，属于非导电体（如真空或绝缘介质）两侧电极的电荷存储效应。

2.电容的物理意义

电容是衡量两极板存储电荷能力的物理量，定义为“电势差每增加1伏特所需储存的电荷量”，公式为：
$$
C = frac{Q}{V}
$$
其中，( C )为电容，( Q )为电荷量，( V )为电压。

3.栅屏电容的影响

高频性能限制：在高频电路中，栅屏电容会形成反馈路径，可能导致信号延迟、振荡或不稳定性。
器件设计考量：电子管设计中需尽量减小栅屏电容，例如通过优化电极间距或使用屏蔽结构。

4.相关应用与器件

电子管：如三极管、五极管，栅屏电容直接影响放大电路的频率响应。
场效应晶体管（FET）：类似原理下，栅极与漏极之间的电容（( C_{gd} )）对开关速度和功耗有显著影响。

如果需要更具体的电路分析或数值计算案例，建议参考电子器件手册或高频电路设计资料。