栅控整流器英文解釋翻譯、栅控整流器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid-controlled rectifier

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

控的英語翻譯：

accuse; charge; control

整流器的英語翻譯：

commutator; rectifier
【化】 commutator; current rectifier; rectifier
【醫】 commutator; rectifier

專業解析

栅控整流器（Gate-Controlled Rectifier）是一種通過栅極信號控制導通狀态的電力電子器件，主要用于将交流電轉換為可控直流電。其核心原理是通過施加栅極電壓調節載流子通道的導通與關斷，實現精準的整流控制。該器件結合了傳統二極管整流與場效應晶體管（FET）的控制特性，典型代表包括絕緣栅雙極型晶體管（IGBT）和部分功率MOSFET結構。

從結構上看，栅控整流器包含三個主要電極：陽極、陰極和栅極。當栅極施加正向偏置電壓時，器件進入導通狀态；撤去栅壓或施加反向偏置時則關斷。這種特性使其在相位控制整流、軟啟動電路和PWM調速系統中具有關鍵作用，較傳統晶閘管整流器具有更快的開關響應速度（可達微秒級）。

在工業應用中，栅控整流器常見于：

變頻器直流母線電源模塊
電化學電解裝置
軌道交通牽引變流系統
可再生能源并網逆變器前級

權威文獻《電力電子系統設計與應用指南》（清華大學出版社）指出，現代栅控整流器的阻斷電壓已突破6500V，電流容量達到3600A級别，轉換效率超過99%。國際電氣電子工程師協會（IEEE）标準1547-2018對栅控整流器在分布式發電系統中的應用規範有詳細技術要求。

中英術語對照：

栅極控制 Gate Control
導通角 Conduction Angle
反向恢複時間 Reverse Recovery Time
浪湧電流 Surge Current
熱阻 Thermal Resistance

網絡擴展解釋

栅控整流器是一種通過栅極控制實現高效整流的電子器件，其核心功能是将交流電轉換為直流電，但相比傳統二極管整流器，具有更低的導通損耗和更高的效率。以下是其關鍵特點和工作原理的詳細解釋：

一、基本結構

核心組件
- 栅控晶體管：通常采用MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）或IGBT（絕緣栅雙極晶體管）。根據負載類型選擇具體器件：
  - 電阻性負載：可用雙向MOSFET（BMOS）、單向MOSFET（UMOS）或IGBT；
  - 電容性負載：需使用UMOS或IGBT。
- 線電壓極性檢測電路：實時監測輸入電壓極性，控制晶體管導通或截止。
- 驅動電路：根據檢測結果驅動栅控晶體管。
特殊設計
部分型號（如專利CN113823679A）采用平面栅結構，通過陽極金屬與P型基區的肖特基接觸，使器件導通時工作在單極模式，進一步降低損耗。

二、工作原理

整流過程
當線電壓極性檢測電路識别到正向電壓時，驅動電路導通栅控晶體管，允許電流通過；反向電壓時則截止晶體管，阻斷反向電流。
效率提升機制
傳統二極管因固定導通壓降（約0.7V）産生較大損耗，而栅控晶體管通過調節栅極電壓控制導通狀态，顯著降低導通壓降（可趨近于0）。

三、優勢與應用

優勢
- 低導通損耗：相比二極管，損耗降低可達90%以上；
- 高可控性：通過栅極信號靈活控制通斷；
- 兼容性：可集成于集成電路或作為分立元件使用。
典型應用
適用于開關電源、電機驅動、新能源發電系統等對效率要求較高的場景。

四、與傳統整流器的對比

特性	栅控整流器	傳統二極管整流器
導通損耗	極低（接近0）	較高（約0.7V壓降）
控制方式	主動栅極控制	被動單向導通
成本	較高	低
適用場景	高頻、高效率需求領域	低頻、低成本場景

如需進一步了解具體電路設計或專利細節，可參考、及的原始技術文檔。