栅極接地式三極管電路英文解釋翻譯、栅極接地式三極管電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grounded-grid-triode circuit

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

接地的英語翻譯：

【計】 earth connection; G; GND
【化】 earth; ground

式的英語翻譯：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【醫】 F.; feature; formula; Ty.; type

三極管的英語翻譯：

dynatron
【化】 triode

電路的英語翻譯：

circuit; circuitry
【計】 electrocircuit
【化】 circuit; electric circuit
【醫】 circuit

專業解析

栅極接地式三極管電路（Common-Base Configuration）是雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的三種基本放大電路之一。該電路中，基極（Base）作為公共接地端，發射極（Emitter）為輸入端，集電極（Collector）為輸出端，因此也稱為“共基極放大電路”。

1. 電路結構與特性

在共基極配置中，輸入信號加載于發射極-基極之間，輸出信號從集電極-基極之間提取。其核心特點包括：

低輸入阻抗（約數十歐姆），適合與低阻抗信號源匹配；
高輸出阻抗（約數百千歐姆），可驅動高阻抗負載；
電壓增益高（約100-300倍），但電流增益小于1；
頻率響應優異，適用于高頻信號放大場景，如射頻通信電路。

2. 典型應用場景

該電路常見于高頻放大器、射頻接收機的前級放大，以及需要相位保持一緻的信號處理系統。例如，調頻（FM）收音機中的混頻器常采用共基極結構以提升高頻穩定性。

3. 參數公式

關鍵參數可通過以下公式計算： $$ 電壓增益：A_v = frac{beta R_C}{re} 輸入阻抗：Z{in} = re 輸出阻抗：Z{out} approx R_C $$ 其中$beta$為電流放大系數，$r_e$為發射結動态電阻，$R_C$為集電極負載電阻。

參考文獻

《電子學》（第二版），Paul Horowitz，哈佛大學物理實驗室教材
《Microelectronic Circuits》，Adel S. Sedra，牛津大學出版社
IEEE Xplore文獻庫：BJT高頻模型分析

網絡擴展解釋

栅極接地式三極管電路是MOS晶體管的一種配置方式，主要用于放大電路中。以下是其核心要點解釋：

1.基本結構

栅極接地：栅極（Gate）直接或通過旁路電容連接到固定電位（如地），形成交流信號的參考點。
輸入/輸出路徑：輸入信號加載到源極（Source），輸出信號從漏極（Drain）取出，形成共栅極（Common Gate）放大結構。

2.工作原理

偏置條件：栅極通常需設置合適的直流偏置電壓（非完全零電位），以建立晶體管的工作點。
信號放大：當輸入信號從源極輸入時，漏極電流受栅源電壓控制，通過負載電阻轉換為電壓信號輸出，實現電壓增益。

3.關鍵特性

輸入阻抗低：源極作為輸入端，電流直接流入晶體管，適合電流驅動型信號源。
電壓增益公式：根據，增益可表示為 $$A_v = g_m cdot R_D$$（其中(g_m)為跨導，(R_D)為漏極負載電阻）。
高頻性能好：栅極接地減少了輸入電容的影響，常用于高頻電路。

4.與開關狀态的對比

提到，當栅極與襯底均接地時，MOS管處于關斷狀态（無導電溝道），但此場景為開關應用。而栅極接地式放大電路需通過偏置使晶體管處于導通區以實現信號放大。

5.典型應用

高頻放大器（如射頻電路）
電流緩沖器
需要阻抗匹配的場合

需注意：的權威性較低，實際設計需結合具體器件參數和電路仿真驗證。