
【計】 scanning beam; sweeping beam
掃描電子束(Scanning Electron Beam)是電子光學領域的關鍵技術術語,指通過電磁場控制的高能電子束在樣品表面進行逐點掃描的物理過程。該技術廣泛應用于掃描電子顯微鏡(SEM),其核心原理為:電子槍發射的電子經加速電壓作用形成束流,經電磁透鏡聚焦後,以光栅掃描模式轟擊樣品表面,激發出二次電子、背散射電子等信號,最終通過探測器成像。
從功能特性看,掃描電子束具備三要素:
在工業标準層面,中國國家标準GB/T 30537-2019《微束分析 掃描電子顯微鏡能譜儀定量分析通則》明确規定了掃描電子束的技術參數範圍及檢測方法。國際權威期刊《Ultramicroscopy》2023年的研究指出,現代場發射掃描電子束的分辨率已突破0.4 nm,較傳統鎢燈絲技術提升近10倍。
該技術的應用延伸至:
“掃描電子束”是電子技術中的一個複合概念,需要從“掃描”和“電子束”兩個角度綜合解釋:
掃描指通過電子束、無線電波等載體,按照特定路徑在水平或垂直方向移動的過程。常見于以下場景:
電子束是由陰極産生的電子在高壓電場(25-300kV)下加速形成的高速密集電子流,速度可達光速的0.3-0.7倍。其特點包括:
在電子束CT等設備中,掃描電子束的具體工作流程為:
掃描頻率可通過以下公式計算: $$ f = frac{1}{T} $$ 其中,$T$為電子束完成一次完整掃描的時間周期。
注:以上内容綜合了電子束的物理特性和掃描技術原理,適用于材料分析、醫學成像等領域。
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