
【電】 diode drop
三極管順向電壓(Transistor Forward Voltage),在電子工程領域特指雙極結型晶體管(BJT)正常導通時,其基極與發射極之間所需施加的最小正向偏置電壓,通常用 ( V_{BE} ) 表示。以下是詳細解釋:
基本概念
三極管順向電壓是使BJT從截止區進入放大區或飽和區的臨界電壓。當基極-發射極電壓 (( V_{BE} )) 達到此值時,發射結正向導通,形成基極電流 ( I_B ),從而控制集電極電流 ( I_C )。
英文對照:Forward Voltage of Bipolar Junction Transistor (BJT)。
工作原理
晶體管類型 | 順向電壓範圍 | 材料特性 |
---|---|---|
矽(Si)三極管 | 0.6V–0.7V | 高溫穩定性好 |
鍺(Ge)三極管 | 0.2V–0.3V | 漏電流大,已較少用 |
關鍵公式:
在放大區,集電極電流 ( IC ) 與 ( V{BE} ) 的關系為:
$$ I_C = IS left( e^{frac{V{BE}}{V_T}} - 1 right) $$
其中 ( I_S ) 為飽和電流,( V_T ) 為熱電壓(約26mV@室溫)。
電路設計
測量方法
使用萬用表二極管檔直接測量B-E極間壓降,導通時顯示值為 ( V_{BE} )。
詳細闡述BJT導通條件及 ( V_{BE} ) 的溫度特性(第3章)。
IEEE Journal of Solid-State Circuits 對BJT參數有标準化描述。
ON Semiconductor應用筆記(如AND9129/D)提供實測數據與設計指南。
三極管的"順向電壓"(或稱正向偏置電壓)是指在三極管的PN結兩端施加的使該結導通的電壓。以下是詳細解釋:
基本定義
工作條件
電流控制特性
與反向電壓的對比 | 參數| 順向電壓 | 反向電壓 | |-------------|------------------|------------------| | 偏置方向| P>N(發射結)| N>P(集電結)| | 電流特性| 導通電流 | 極小漏電流 | | 典型應用| 放大區/飽和區| 截止區/放大區|
工程應用要點
需要說明,"順向電壓"是非标準術語,工程領域更常用"正向偏置電壓"(forward bias voltage)這一表述。理解這一概念對分析三極管的放大、開關等工作模式至關重要。
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