軟性擊穿英文解釋翻譯、軟性擊穿的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 soft breakdown

分詞翻譯：

軟的英語翻譯：

flexible; gentle; mild; pliable; soft; supple; weak
【醫】 lepto-; malaco-

擊穿的英語翻譯：

【化】 breakdown

專業解析

軟性擊穿（Soft Breakdown）的漢英詞典式解釋

在電子工程與材料科學領域，“軟性擊穿”（Soft Breakdown）是一個描述電介質或絕緣材料在強電場下失效模式的特定術語。其核心含義及技術特征如下：

一、基本定義

軟性擊穿指電介質（如電容器介質層、半導體栅氧化層等）在承受超過其絕緣強度的電場時，發生的一種非災難性、可逆或部分可逆的導電通道形成現象。與“硬性擊穿”（Hard Breakdown）導緻器件永久損毀不同，軟性擊穿後材料可能仍保留部分絕緣功能，或在移除電場後恢複絕緣狀态（部分自愈性）。其英文對應術語為Soft Breakdown (SBD) 或Progressive Breakdown。

二、關鍵特性

可逆性/自愈性
擊穿後導電通路可能因材料局部熔融重組或電荷消散而中斷，絕緣性能部分恢複。常見于自愈式電容器（如金屬化薄膜電容）。

漸進性失效
擊穿過程常伴隨漏電流的階躍式增長或隨機電報噪聲（RTN），而非瞬時短路，器件可能仍能短暫工作但性能退化。

無永久形變
介質層不發生物理性熔毀或燒蝕，微觀結構損傷局限于局部缺陷區域（如晶格畸變、陷阱生成）。

三、成因與物理機制

軟性擊穿主要由介質内部的局部缺陷（如雜質、界面态、薄弱點）引發，通過以下過程形成導電通路：

陷阱輔助隧穿：電場激發載流子穿越介質陷阱能級。
細絲傳導：金屬離子遷移形成納米級導電細絲（常見于高介電常數材料）。
熱電子注入：高能電子撞擊破壞化學鍵，生成導電路徑。數學表征常用擊穿電壓 $V{bd}$ 與介質厚度 $d$ 的關系：
$$ V{bd} propto d cdot E{crit} $$

其中 $E{crit}$ 為臨界擊穿場強，軟擊穿時 $E_{crit}$ 值顯著低于理論值。

四、典型應用場景

集成電路可靠性
栅氧化層軟擊穿是MOSFET器件老化的重要失效模式，需通過加速壽命測試（如TDDB）評估芯片壽命。

電力電容器保護
自愈式電容器利用軟擊穿特性清除金屬電極缺陷，延長使用壽命。

憶阻器工作原理
基于導電細絲可逆形成的軟擊穿效應，實現電阻切換功能。

五、中文對照術語

軟擊穿（簡體中文通用術語）
柔性崩潰（部分學術文獻譯法）
漸進式擊穿（強調失效過程）

權威參考來源

維基百科“絕緣擊穿”條目
定義擊穿分類與自愈機制 en.wikipedia.org/wiki/Electrical_breakdown

IEEE《電子器件彙刊》
半導體栅氧化層軟擊穿模型與檢測标準 doi.org/10.1109/TED.2003.813462

Keysight《電容器測試手冊》
自愈式電容器故障模式分析 keysight.com/us/en/assets/9018-03804/application-notes/5990-7899.pdf

網絡擴展解釋

軟性擊穿（又稱軟擊穿）是電子元件故障中的一種特殊現象，與硬擊穿形成對比。以下是其詳細解析：

一、定義與核心特點

軟性擊穿指元器件在特定條件下（如高溫、高壓或長時間通電）暫時失去正常功能，但常溫或靜态測試時可能表現為正常狀态。這種擊穿具有以下特征：

可逆性：擊穿後功能可能部分或全部恢複
隱蔽性：常規檢測手段（如萬用表）難以發現
條件依賴性：多發生于溫度升高或動态工作狀态

二、與硬擊穿的關鍵區别

特征	軟擊穿	硬擊穿
破壞程度	部分性能劣化	永久性損壞
可恢複性	條件改善後可能恢複	不可恢複
檢測難度	需加溫或動态測試才能發現	常規檢測即可發現
故障表現	設備時好時壞	設備完全失效

三、常見發生場景

三極管：PN結溫度上升但未破壞結構時
電容器：電解質劣化導緻電荷積累異常
集成電路：靜電放電造成潛在損傷
二極管：老化導緻的參數漂移

四、危害與檢測難點

軟擊穿的潛在危害遠大于硬擊穿：

設備可能帶病工作數月後突然失效
故障排查成本高（需替換測試或專業檢測設備）
工業設備中可能引發連鎖故障（提到航天、電力系統的特殊風險）

注：檢測時可采取加溫測試法（用熱風槍加熱元件後檢測）或替換排除法。由于涉及安全隱患，建議發現疑似軟擊穿元件時及時更換。