软性击穿英文解释翻译、软性击穿的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 soft breakdown

分词翻译：

软的英语翻译：

flexible; gentle; mild; pliable; soft; supple; weak
【医】 lepto-; malaco-

击穿的英语翻译：

【化】 breakdown

专业解析

软性击穿（Soft Breakdown）的汉英词典式解释

在电子工程与材料科学领域，“软性击穿”（Soft Breakdown）是一个描述电介质或绝缘材料在强电场下失效模式的特定术语。其核心含义及技术特征如下：

一、基本定义

软性击穿指电介质（如电容器介质层、半导体栅氧化层等）在承受超过其绝缘强度的电场时，发生的一种非灾难性、可逆或部分可逆的导电通道形成现象。与“硬性击穿”（Hard Breakdown）导致器件永久损毁不同，软性击穿后材料可能仍保留部分绝缘功能，或在移除电场后恢复绝缘状态（部分自愈性）。其英文对应术语为Soft Breakdown (SBD) 或Progressive Breakdown。

二、关键特性

可逆性/自愈性
击穿后导电通路可能因材料局部熔融重组或电荷消散而中断，绝缘性能部分恢复。常见于自愈式电容器（如金属化薄膜电容）。

渐进性失效
击穿过程常伴随漏电流的阶跃式增长或随机电报噪声（RTN），而非瞬时短路，器件可能仍能短暂工作但性能退化。

无永久形变
介质层不发生物理性熔毁或烧蚀，微观结构损伤局限于局部缺陷区域（如晶格畸变、陷阱生成）。

三、成因与物理机制

软性击穿主要由介质内部的局部缺陷（如杂质、界面态、薄弱点）引发，通过以下过程形成导电通路：

陷阱辅助隧穿：电场激发载流子穿越介质陷阱能级。
细丝传导：金属离子迁移形成纳米级导电细丝（常见于高介电常数材料）。
热电子注入：高能电子撞击破坏化学键，生成导电路径。数学表征常用击穿电压 $V{bd}$ 与介质厚度 $d$ 的关系：
$$ V{bd} propto d cdot E{crit} $$

其中 $E{crit}$ 为临界击穿场强，软击穿时 $E_{crit}$ 值显著低于理论值。

四、典型应用场景

集成电路可靠性
栅氧化层软击穿是MOSFET器件老化的重要失效模式，需通过加速寿命测试（如TDDB）评估芯片寿命。

电力电容器保护
自愈式电容器利用软击穿特性清除金属电极缺陷，延长使用寿命。

忆阻器工作原理
基于导电细丝可逆形成的软击穿效应，实现电阻切换功能。

五、中文对照术语

软击穿（简体中文通用术语）
柔性崩溃（部分学术文献译法）
渐进式击穿（强调失效过程）

权威参考来源

维基百科“绝缘击穿”条目
定义击穿分类与自愈机制 en.wikipedia.org/wiki/Electrical_breakdown

IEEE《电子器件汇刊》
半导体栅氧化层软击穿模型与检测标准 doi.org/10.1109/TED.2003.813462

Keysight《电容器测试手册》
自愈式电容器故障模式分析 keysight.com/us/en/assets/9018-03804/application-notes/5990-7899.pdf

网络扩展解释

软性击穿（又称软击穿）是电子元件故障中的一种特殊现象，与硬击穿形成对比。以下是其详细解析：

一、定义与核心特点

软性击穿指元器件在特定条件下（如高温、高压或长时间通电）暂时失去正常功能，但常温或静态测试时可能表现为正常状态。这种击穿具有以下特征：

可逆性：击穿后功能可能部分或全部恢复
隐蔽性：常规检测手段（如万用表）难以发现
条件依赖性：多发生于温度升高或动态工作状态

二、与硬击穿的关键区别

特征	软击穿	硬击穿
破坏程度	部分性能劣化	永久性损坏
可恢复性	条件改善后可能恢复	不可恢复
检测难度	需加温或动态测试才能发现	常规检测即可发现
故障表现	设备时好时坏	设备完全失效

三、常见发生场景

三极管：PN结温度上升但未破坏结构时
电容器：电解质劣化导致电荷积累异常
集成电路：静电放电造成潜在损伤
二极管：老化导致的参数漂移

四、危害与检测难点

软击穿的潜在危害远大于硬击穿：

设备可能带病工作数月后突然失效
故障排查成本高（需替换测试或专业检测设备）
工业设备中可能引发连锁故障（提到航天、电力系统的特殊风险）

注：检测时可采取加温测试法（用热风枪加热元件后检测）或替换排除法。由于涉及安全隐患，建议发现疑似软击穿元件时及时更换。