片電阻率英文解釋翻譯、片電阻率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 sheet resistivity

分詞翻譯：

片的英語翻譯：

flake; parcel; partial; patch; piece; slice
【計】 slice
【醫】 disc; disci; discus; disk; flap; piece
【經】 card

電阻率的英語翻譯：

【化】 resistivity

專業解析

片電阻率（Sheet Resistance），又稱方塊電阻或面電阻率，是表征均勻厚度薄膜材料導電性能的重要物理量。在半導體、微電子和材料科學領域尤為關鍵。以下從漢英詞典角度對其詳細解釋：

一、中文定義與英文對應

中文術語：片電阻率（Piàn Diànzǔlǜ）
英文術語：Sheet Resistance 或Surface Resistivity
核心含義：指單位面積正方形薄膜材料在電流通過時表現出的電阻值，與薄膜厚度無關，僅反映材料本身的導電特性。

二、物理意義與技術解析

定義公式：
片電阻率 ( R_s ) 的計算公式為：

$$ R_s = frac{rho}{t} $$

其中：
- ( rho ) 為材料的體電阻率（單位：Ω·m），
- ( t ) 為薄膜厚度（單位：m）。
  來源：《半導體物理學》
測量原理：
通過四探針法（Four-Point Probe）測量，在薄膜表面施加電流并檢測電壓，直接得到 ( R_s ) 值（單位：Ω/□，讀作“歐姆每方塊”）。

來源：美國國家标準與技術研究院（NIST）手冊
與體電阻率的區别：
體電阻率（( rho )）描述三維材料的導電性，而片電阻率（( R_s )）專用于二維薄膜，更貼合集成電路制造中的實際應用場景（如金屬布線、透明導電層）。

三、行業應用場景

半導體工藝：評估摻雜矽片、金屬鍍層的導電均勻性；
顯示技術：量化ITO（氧化铟錫）等透明導電膜的性能；
太陽能電池：測量電極材料的電阻損耗；
柔性電子：表征納米銀線、石墨烯薄膜的導電效率。
來源：IEEE電子器件期刊

四、權威參考文獻

學術定義：
《半導體器件物理與工藝》（第3版），施敏著，詳細推導 ( R_s ) 與載流子遷移率的關系。

标準規範：
ASTM F76《半導體材料電阻率測試标準》規範四探針法測量流程。

工程應用指南：
《薄膜科學技術手冊》（Springer出版），解析 ( R_s ) 在微納加工中的關鍵作用。

（注：因搜索結果未提供可直接引用的網頁鍊接，此處參考文獻基于行業公認權威出版物，實際引用時建議查閱相關書籍或學術數據庫。）

網絡擴展解釋

關于“片電阻率”這一術語，目前提供的搜索結果中并未直接提及，但結合“電阻率”的定義和相關領域知識，可以推測其含義并解釋如下：

1.基礎概念：電阻率的定義

電阻率（ρ）是材料的固有屬性，表示單位長度和單位截面積下材料對電流的阻礙能力。其标準公式為： $$ ρ = frac{R cdot A}{L} $$ 其中，R為電阻（Ω），A為橫截面積（m²），L為長度（m）。單位為歐姆·米（Ω·m）。

2.“片電阻率”的可能含義

“片”可能指代薄片或薄膜材料，常見于半導體、集成電路或塗層材料中。在此類應用中，常用以下兩種衍生概念：

薄層電阻（Sheet Resistance）：
用于描述薄膜材料的電阻特性，公式為： $$ R_s = frac{ρ}{t} $$ 其中，t為薄膜厚度（m），單位為歐姆每平方（Ω/sq）。這種單位表示無論薄膜面積如何，每“方塊”（即長寬相等的區域）的電阻值相同。
表面電阻率：
類似薄層電阻，但更廣義地描述材料表面的導電性能，常用于塗層或二維材料。

3.影響因素與應用

材料特性：金屬（如銅）電阻率低，絕緣體（如橡膠）電阻率高。
溫度：金屬電阻率隨溫度升高而增大，半導體則相反。
厚度：對薄片材料，厚度（t）直接影響薄層電阻的數值。

4.實際應用場景

集成電路：通過控制薄膜厚度和材料電阻率設計導電路徑。
太陽能電池：優化透明導電層（如ITO）的薄層電阻以平衡透光率和導電性。

“片電阻率”可能是對薄層電阻或薄膜材料電阻率的口語化表達，核心仍基于電阻率（ρ）的定義，但需額外考慮厚度因素。如需更具體的工程定義，建議參考半導體或材料科學領域的專業資料。