雙向内存開關英文解釋翻譯、雙向内存開關的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 ovonic memory switch

分詞翻譯：

雙向的英語翻譯：

【計】 bothway; bustophedon; duplexing

内存的英語翻譯：

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

開關的英語翻譯：

on-off; stopcock; switch
【計】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【醫】 switch

專業解析

在電子工程領域，"雙向内存開關"（Bidirectional Memory Switch）指的是一種具備雙向導通能力且能夠保持開關狀态的半導體器件。它結合了開關功能和記憶特性，允許電流在兩個方向上流動（雙向），并能"記住"其之前的開關狀态（内存），即使移除控制信號或斷電後（部分類型）也能維持該狀态。其核心特性與實現方式如下：

1. 核心特性解析

雙向 (Bidirectional)：器件允許電流或信號沿正反兩個方向通過，類似于一個雙向導通的電子開關。這與傳統二極管（單向導通）或部分晶體管（特定方向導通）不同。常見于需要信號或能量雙向傳輸的電路，如總線接口、模拟開關陣列等。
内存 (Memory)：器件具有狀态保持能力。一旦被設定為開啟（ON）或關閉（OFF）狀态，即使移除觸發該狀态的信號（或對于非易失性類型，即使斷電），它也能維持該狀态不變。這種記憶特性是其區别于普通開關（如MOSFET開關）的關鍵。
開關 (Switch)：本質功能是實現電路的導通與斷開控制。

2. 典型實現與技術背景

憶阻器 (Memristor)：憶阻器是最具代表性的新興雙向内存開關之一。其電阻值取決于流經它的電荷量曆史，并能非易失性地保持該電阻狀态（即開關狀态）。其I-V特性曲線呈現出獨特的"捏滞回線"，完美體現了雙向導通和記憶電阻的特性。憶阻器被視為構建下一代非易失性存儲器（如ReRAM）和神經形态計算硬件的基石。
非易失性存儲器單元：某些非易失性存儲器（NVM）技術，如電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）、相變存儲器（PCM）、磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）的存儲單元，其核心元件本身就是一個雙向内存開關。通過施加不同極性的電壓脈沖，可以可逆地改變其電阻狀态（高阻/OFF态或低阻/ON态），并且該狀态在斷電後依然保持。寫入操作本質上就是在控制這個開關的狀态切換。
CMOS傳輸門 (CMOS Transmission Gate)：由并聯的PMOS和NMOS晶體管構成，是一種經典的易失性雙向開關。當控制信號有效時，它允許信號雙向傳輸（從源到漏或從漏到源）；控制信號撤銷後，開關斷開。但它不具備非易失性記憶功能，斷電後狀态丢失。它是模拟開關、多路複用器等電路的基礎單元。

3. 關鍵應用領域

非易失性存儲器 (NVM)：是ReRAM、PCM、MRAM等新型存儲技術的核心存儲單元，利用其雙向開關特性實現數據的寫入（改變狀态）和讀取（檢測狀态）。
可重構邏輯/FPGA：在下一代現場可編程門陣列中，非易失性的雙向内存開關（如憶阻器）可用于構建可編程互連和配置邏輯單元，實現瞬時啟動和低功耗。
神經形态計算：憶阻器等器件因其模拟電阻狀态變化和記憶特性，被用來模拟生物神經元突觸的可塑性，是構建人工神經網絡硬件加速器的關鍵元件。
模拟開關與多路複用器： CMOS傳輸門等易失性雙向開關廣泛用于信號路由、數據選擇等場景。

"雙向内存開關"是一個描述性術語，指代一類具有雙向電流/信號導通能力并能保持其開關狀态（易失性或非易失性）的電子器件。憶阻器是其前沿代表，非易失性存儲器的存儲單元是其核心應用體現，而CMOS傳輸門則是經典的易失性實現。它在先進存儲、可重構計算、神經形态硬件和信號處理等領域具有重要價值。

網絡擴展解釋

"雙向内存開關"對應的英文翻譯為"ovonic memory switch"（）。該術語可以拆解為以下三個部分解析：

雙向 (Bidirectional)
指設備允許數據在兩個方向傳輸或操作，常見于電子元件中的雙工通信設計。
内存 (Memory)
即計算機的存儲部件，用于暫時或永久保存數據，通常與半導體存儲技術相關。
開關 (Switch)
指控制電路通斷的電子元件，在存儲技術中可能涉及相變材料（如基于奧弗辛斯基效應的器件）的狀态切換。

綜合解釋：該術語可能指一種基于相變材料（如硫族化合物）的雙向存儲器件，利用電脈沖改變材料晶态與非晶态（開關功能）以實現數據存儲。這類技術常見于非易失性存儲器（如PCM相變存儲器）的研發領域。

由于搜索結果信息有限，如需更專業的定義或應用場景，建議參考電子工程或半導體存儲領域的文獻資料。