双向内存开关英文解释翻译、双向内存开关的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 ovonic memory switch

分词翻译：

双向的英语翻译：

【计】 bothway; bustophedon; duplexing

内存的英语翻译：

【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

开关的英语翻译：

on-off; stopcock; switch
【计】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【医】 switch

专业解析

在电子工程领域，"双向内存开关"（Bidirectional Memory Switch）指的是一种具备双向导通能力且能够保持开关状态的半导体器件。它结合了开关功能和记忆特性，允许电流在两个方向上流动（双向），并能"记住"其之前的开关状态（内存），即使移除控制信号或断电后（部分类型）也能维持该状态。其核心特性与实现方式如下：

1. 核心特性解析

双向 (Bidirectional)：器件允许电流或信号沿正反两个方向通过，类似于一个双向导通的电子开关。这与传统二极管（单向导通）或部分晶体管（特定方向导通）不同。常见于需要信号或能量双向传输的电路，如总线接口、模拟开关阵列等。
内存 (Memory)：器件具有状态保持能力。一旦被设定为开启（ON）或关闭（OFF）状态，即使移除触发该状态的信号（或对于非易失性类型，即使断电），它也能维持该状态不变。这种记忆特性是其区别于普通开关（如MOSFET开关）的关键。
开关 (Switch)：本质功能是实现电路的导通与断开控制。

2. 典型实现与技术背景

忆阻器 (Memristor)：忆阻器是最具代表性的新兴双向内存开关之一。其电阻值取决于流经它的电荷量历史，并能非易失性地保持该电阻状态（即开关状态）。其I-V特性曲线呈现出独特的"捏滞回线"，完美体现了双向导通和记忆电阻的特性。忆阻器被视为构建下一代非易失性存储器（如ReRAM）和神经形态计算硬件的基石。
非易失性存储器单元：某些非易失性存储器（NVM）技术，如电阻式随机存取存储器（ReRAM）、相变存储器（PCM）、磁阻式随机存取存储器（MRAM）的存储单元，其核心元件本身就是一个双向内存开关。通过施加不同极性的电压脉冲，可以可逆地改变其电阻状态（高阻/OFF态或低阻/ON态），并且该状态在断电后依然保持。写入操作本质上就是在控制这个开关的状态切换。
CMOS传输门 (CMOS Transmission Gate)：由并联的PMOS和NMOS晶体管构成，是一种经典的易失性双向开关。当控制信号有效时，它允许信号双向传输（从源到漏或从漏到源）；控制信号撤销后，开关断开。但它不具备非易失性记忆功能，断电后状态丢失。它是模拟开关、多路复用器等电路的基础单元。

3. 关键应用领域

非易失性存储器 (NVM)：是ReRAM、PCM、MRAM等新型存储技术的核心存储单元，利用其双向开关特性实现数据的写入（改变状态）和读取（检测状态）。
可重构逻辑/FPGA：在下一代现场可编程门阵列中，非易失性的双向内存开关（如忆阻器）可用于构建可编程互连和配置逻辑单元，实现瞬时启动和低功耗。
神经形态计算：忆阻器等器件因其模拟电阻状态变化和记忆特性，被用来模拟生物神经元突触的可塑性，是构建人工神经网络硬件加速器的关键元件。
模拟开关与多路复用器： CMOS传输门等易失性双向开关广泛用于信号路由、数据选择等场景。

"双向内存开关"是一个描述性术语，指代一类具有双向电流/信号导通能力并能保持其开关状态（易失性或非易失性）的电子器件。忆阻器是其前沿代表，非易失性存储器的存储单元是其核心应用体现，而CMOS传输门则是经典的易失性实现。它在先进存储、可重构计算、神经形态硬件和信号处理等领域具有重要价值。

网络扩展解释

"双向内存开关"对应的英文翻译为"ovonic memory switch"（）。该术语可以拆解为以下三个部分解析：

双向 (Bidirectional)
指设备允许数据在两个方向传输或操作，常见于电子元件中的双工通信设计。
内存 (Memory)
即计算机的存储部件，用于暂时或永久保存数据，通常与半导体存储技术相关。
开关 (Switch)
指控制电路通断的电子元件，在存储技术中可能涉及相变材料（如基于奥弗辛斯基效应的器件）的状态切换。

综合解释：该术语可能指一种基于相变材料（如硫族化合物）的双向存储器件，利用电脉冲改变材料晶态与非晶态（开关功能）以实现数据存储。这类技术常见于非易失性存储器（如PCM相变存储器）的研发领域。

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