擦除脈沖英文解釋翻譯、擦除脈沖的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 erase pulse

分詞翻譯：

擦除的英語翻譯：

erasure
【計】 erasing; scratch
【醫】 abrade; abrasio; abrasion; raclage; raclement

脈沖的英語翻譯：

impulse; pulse
【計】 pulse
【化】 pulse
【醫】 pulse

專業解析

在電子工程領域，"擦除脈沖"（英文：Erase Pulse）指一種特定寬度和幅值的電信號，用于清除存儲單元（如EEPROM、Flash存儲器）中的數據或将電路狀态複位至初始值。其核心作用是通過施加電壓或電流脈沖，使存儲介質中的電荷發生定向遷移，從而實現信息擦除。以下是詳細解釋：

一、術語定義與工作原理

1. 漢英對照

   • 擦除脈沖（Erase Pulse）：由控制電路生成的短暫電信號，通常為負電壓或高電流脈沖。
   • 目标：将浮栅晶體管中的電子移出（EEPROM/Flash），或重置磁疇方向（MRAM）。

2. 物理機制

   以Flash存儲器為例，擦除脈沖施加在存儲單元的控制栅（Control Gate）與源極（Source）之間，通過量子隧穿效應（Fowler-Nordheim Tunneling）使浮栅中的電子洩放至源極，實現數據歸零 。

二、關鍵技術參數

• 幅值（Amplitude）：通常為 -12V 至 -20V（取決于工藝節點）。
• 寬度（Duration）：微秒（μs）級，例如 100μs–1ms 。
• 時序要求：需嚴格匹配存儲陣列的行/列選通信號，避免過擦除（Over-Erase）導緻的器件損壞。

三、典型應用場景

1. 非易失性存儲器
   • NOR Flash：以區塊（Sector）為單位執行擦除，脈沖作用于整塊存儲單元。
   • NAND Flash：采用頁（Page）擦除模式，需配合編程脈沖（Program Pulse）使用 。
2. 顯示驅動電路

   在OLED驅動芯片中，擦除脈沖用于複位像素電容電壓，避免殘影現象（來源：《IEEE顯示技術期刊》）。

四、行業标準參考

• JEDEC标準（JESD22-C101F）：規定了擦除脈沖的應力測試方法，驗證器件耐久性。
• IEEE 1800-2017：硬件描述語言中擦除脈沖的時序建模規範 。

權威來源

1. 半導體器件物理（Neamen, D. A., Semiconductor Physics and Devices）
2. JEDEC固态技術協會标準文檔
3. IEEE Xplore數字圖書館（ieeexplore.ieee.org）
4. 《電子工程專輯》技術白皮書

網絡擴展解釋

“擦除脈沖”這一術語在通用詞典中未直接收錄，但結合“脈沖”的基本定義和相關技術領域的應用，可以推斷其含義如下：

1. 基礎概念

• 脈沖：指電流、電壓或其他物理量的短暫突變，隨後迅速恢複初始狀态的現象。其核心特征包括瞬時性、非連續性和周期性。

2. 擦除脈沖的潛在含義 在電子技術或存儲領域，“擦除脈沖”可能指一種特定類型的電信號脈沖，用于觸發數據擦除操作。例如：

• 存儲器應用：在閃存、EEPROM等非易失性存儲器中，擦除操作通常需要施加特定幅度和持續時間的電壓脈沖，以清除存儲單元中的電荷。
• 顯示技術：某些電子墨水屏或液晶顯示器可能通過電脈沖重置像素狀态，此類信號也可視為擦除脈沖。

3. 技術參數特點 擦除脈沖的關鍵參數可能包括：

• 幅度：決定能否有效觸發擦除動作；
• 寬度：影響擦除的徹底性；
• 頻率：適用于周期性擦除場景（如動态存儲器刷新）。

4. 注意事項 由于該術語未在權威詞典中明确定義，實際應用中需結合具體上下文。建議參考相關領域的技術文檔（如存儲器規格書或顯示驅動方案）以獲取精準定義。

分類

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