擦除脉冲英文解释翻译、擦除脉冲的近义词、反义词、例句
英语翻译:
【计】 erase pulse
分词翻译:
擦除的英语翻译:
erasure
【计】 erasing; scratch
【医】 abrade; abrasio; abrasion; raclage; raclement
脉冲的英语翻译:
impulse; pulse
【计】 pulse
【化】 pulse
【医】 pulse
专业解析
在电子工程领域,"擦除脉冲"(英文:Erase Pulse)指一种特定宽度和幅值的电信号,用于清除存储单元(如EEPROM、Flash存储器)中的数据或将电路状态复位至初始值。其核心作用是通过施加电压或电流脉冲,使存储介质中的电荷发生定向迁移,从而实现信息擦除。以下是详细解释:
一、术语定义与工作原理
-
汉英对照
- 擦除脉冲(Erase Pulse):由控制电路生成的短暂电信号,通常为负电压或高电流脉冲。
- 目标:将浮栅晶体管中的电子移出(EEPROM/Flash),或重置磁畴方向(MRAM)。
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物理机制
以Flash存储器为例,擦除脉冲施加在存储单元的控制栅(Control Gate)与源极(Source)之间,通过量子隧穿效应(Fowler-Nordheim Tunneling)使浮栅中的电子泄放至源极,实现数据归零 。
二、关键技术参数
- 幅值(Amplitude):通常为 -12V 至 -20V(取决于工艺节点)。
- 宽度(Duration):微秒(μs)级,例如 100μs–1ms 。
- 时序要求:需严格匹配存储阵列的行/列选通信号,避免过擦除(Over-Erase)导致的器件损坏。
三、典型应用场景
- 非易失性存储器
- NOR Flash:以区块(Sector)为单位执行擦除,脉冲作用于整块存储单元。
- NAND Flash:采用页(Page)擦除模式,需配合编程脉冲(Program Pulse)使用 。
- 显示驱动电路
在OLED驱动芯片中,擦除脉冲用于复位像素电容电压,避免残影现象(来源:《IEEE显示技术期刊》)。
四、行业标准参考
- JEDEC标准(JESD22-C101F):规定了擦除脉冲的应力测试方法,验证器件耐久性。
- IEEE 1800-2017:硬件描述语言中擦除脉冲的时序建模规范 。
权威来源
- 半导体器件物理(Neamen, D. A., Semiconductor Physics and Devices)
- JEDEC固态技术协会标准文档
- IEEE Xplore数字图书馆(ieeexplore.ieee.org)
- 《电子工程专辑》技术白皮书
网络扩展解释
“擦除脉冲”这一术语在通用词典中未直接收录,但结合“脉冲”的基本定义和相关技术领域的应用,可以推断其含义如下:
1. 基础概念
- 脉冲:指电流、电压或其他物理量的短暂突变,随后迅速恢复初始状态的现象。其核心特征包括瞬时性、非连续性和周期性。
2. 擦除脉冲的潜在含义
在电子技术或存储领域,“擦除脉冲”可能指一种特定类型的电信号脉冲,用于触发数据擦除操作。例如:
- 存储器应用:在闪存、EEPROM等非易失性存储器中,擦除操作通常需要施加特定幅度和持续时间的电压脉冲,以清除存储单元中的电荷。
- 显示技术:某些电子墨水屏或液晶显示器可能通过电脉冲重置像素状态,此类信号也可视为擦除脉冲。
3. 技术参数特点
擦除脉冲的关键参数可能包括:
- 幅度:决定能否有效触发擦除动作;
- 宽度:影响擦除的彻底性;
- 频率:适用于周期性擦除场景(如动态存储器刷新)。
4. 注意事项
由于该术语未在权威词典中明确定义,实际应用中需结合具体上下文。建议参考相关领域的技术文档(如存储器规格书或显示驱动方案)以获取精准定义。
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