n. 顯微光刻法，縮微平版印刷術
Handbook of Micro lithography, Micromachining, and Micro fabrication. Vol.1: microlithography.
微平版印術，顯微機械加工，和微制作手冊：卷一：微平版印術。
Moore's Law has difficulties in key technologies such as production cost and semiconductor microlithography, as well as in basic physical ideas.
分析了摩爾定律在制造成本、光刻等關鍵技術，以及物理基礎思想等方面的困難和制約。
A new algorithm which is used to transform center-hollowed polygons of CIF format in microlithography pattern into rectangles of PG3600 format is presented.
給出了一種微光刻圖形CIF格式的中間挖空多邊形切割成PG 3600格式所需矩形的新算法。
微光刻技術（Microlithography）是半導體制造中的核心工藝，指利用光學系統将掩模版上的微細圖形精确投影轉移到矽片表面光刻膠上的技術過程。其核心原理是通過曝光和顯影在基闆上形成納米級圖案，為後續刻蝕或離子注入提供模闆。
掩模版（Photomask）
包含電路設計的鉻層玻璃基闆，其圖案通過曝光光源（如深紫外光DUV或極紫外光EUV）投影到矽片。
光刻膠（Photoresist）
光敏材料塗層，曝光後發生化學性質變化。正膠受光區域溶解，負膠受光區域固化，形成圖形轉移媒介。
光學投影系統
采用折射式（DUV）或反射式（EUV）透鏡組，結合分辨率增強技術（如浸沒式光刻、相移掩模）突破光學衍射極限，實現亞10nm線寬。
權威參考來源：
- 國際半導體技術路線圖（ITRS）報告（已整合入IEEE IRDS）
- SPIE（國際光學工程學會）期刊 Journal of Micro/Nanopatterning
- 《半導體制造技術基礎》（施敏著）第6章光刻工藝
Microlithography（微影技術）是一種用于在微小尺度上制造精細圖案的工藝，尤其在半導體和微電子器件制造中至關重要。以下是詳細解釋：
基本定義
Microlithography 結合了“micro”（微小）和“lithography”（平版印刷術），指通過光敏材料（如光阻）和光學曝光技術，在基闆（如矽晶圓）表面形成微米或納米級圖形的過程。
核心原理
應用領域
主要用于集成電路（IC）制造，例如在晶圓上刻蝕晶體管、導線等微觀結構，是芯片生産的核心步驟之一。
相關技術名稱
該工藝也被稱為Photolithography 或光刻，不同術語強調光敏反應或微米級精度特點。
擴展信息
現代技術已發展出極紫外光刻（EUV）等先進方法，以支持更小尺寸的芯片制造。相關科學原理可參考專業書籍如《MicroLithography Science and Technology》。
如需更完整的工藝流程或技術細節，可查閱、3、4的原始資料。
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