n. 显微光刻法，缩微平版印刷术
Handbook of Micro lithography, Micromachining, and Micro fabrication. Vol.1: microlithography.
微平版印术，显微机械加工，和微制作手册：卷一：微平版印术。
Moore's Law has difficulties in key technologies such as production cost and semiconductor microlithography, as well as in basic physical ideas.
分析了摩尔定律在制造成本、光刻等关键技术，以及物理基础思想等方面的困难和制约。
A new algorithm which is used to transform center-hollowed polygons of CIF format in microlithography pattern into rectangles of PG3600 format is presented.
给出了一种微光刻图形CIF格式的中间挖空多边形切割成PG 3600格式所需矩形的新算法。
微光刻技术（Microlithography）是半导体制造中的核心工艺，指利用光学系统将掩模版上的微细图形精确投影转移到硅片表面光刻胶上的技术过程。其核心原理是通过曝光和显影在基板上形成纳米级图案，为后续刻蚀或离子注入提供模板。
掩模版（Photomask）
包含电路设计的铬层玻璃基板，其图案通过曝光光源（如深紫外光DUV或极紫外光EUV）投影到硅片。
光刻胶（Photoresist）
光敏材料涂层，曝光后发生化学性质变化。正胶受光区域溶解，负胶受光区域固化，形成图形转移媒介。
光学投影系统
采用折射式（DUV）或反射式（EUV）透镜组，结合分辨率增强技术（如浸没式光刻、相移掩模）突破光学衍射极限，实现亚10nm线宽。
权威参考来源：
- 国际半导体技术路线图（ITRS）报告（已整合入IEEE IRDS）
- SPIE（国际光学工程学会）期刊 Journal of Micro/Nanopatterning
- 《半导体制造技术基础》（施敏著）第6章光刻工艺
Microlithography（微影技术）是一种用于在微小尺度上制造精细图案的工艺，尤其在半导体和微电子器件制造中至关重要。以下是详细解释：
基本定义
Microlithography 结合了“micro”（微小）和“lithography”（平版印刷术），指通过光敏材料（如光阻）和光学曝光技术，在基板（如硅晶圆）表面形成微米或纳米级图形的过程。
核心原理
应用领域
主要用于集成电路（IC）制造，例如在晶圆上刻蚀晶体管、导线等微观结构，是芯片生产的核心步骤之一。
相关技术名称
该工艺也被称为Photolithography 或光刻，不同术语强调光敏反应或微米级精度特点。
扩展信息
现代技术已发展出极紫外光刻（EUV）等先进方法，以支持更小尺寸的芯片制造。相关科学原理可参考专业书籍如《MicroLithography Science and Technology》。
如需更完整的工艺流程或技术细节，可查阅、3、4的原始资料。
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