homoepitaxy是什麼意思，homoepitaxy的意思翻譯、用法、同義詞、例句

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專業解析

Homoepitaxy（同質外延）是半導體材料科學中的一種薄膜生長技術，指在單晶襯底上沉積與襯底材料相同的單晶層的過程。例如，在矽（Si）襯底上生長矽薄膜，或在碳化矽（SiC）襯底上生長碳化矽外延層。這一過程通過化學氣相沉積（CVD）或分子束外延（MBE）等方法實現，确保晶體結構的連續性，減少晶格缺陷^。

其核心原理是晶格匹配，即襯底與外延層具有相同的晶體結構和晶格常數，從而避免界面應力或位錯産生^。根據《薄膜沉積技術手冊》（Handbook of Thin-Film Deposition），homoepitaxy廣泛應用于高頻電子器件（如HEMT晶體管）、激光二極管和功率半導體器件的制造，以提高材料純度與器件性能^。

美國國家标準與技術研究院（NIST）的研究表明，homoepitaxy技術對制備低缺陷密度的第三代半導體（如GaN、SiC）至關重要，可顯著提升器件在高電壓、高溫環境下的穩定性^。

網絡擴展資料

homoepitaxy 是一個材料科學領域的專業術語，以下是詳細解釋：

1.詞源與定義

• 詞源：由前綴 homo-（源自希臘語，意為“相同”）和 epitaxy（外延生長）組成。
• 定義：指在同一種材料的基底上進行晶體外延生長的過程。例如，在單晶矽基底上生長矽外延層，保持晶體結構的一緻性。

2.技術特點

• 材料一緻性：基底與外延層化學成分和晶體結構完全相同。
• 應用場景：常見于半導體制造，用于優化晶體質量或修複基底缺陷，提升器件性能。

3.與異質外延的對比

• 異質外延（Heteroepitaxy）：基底與外延層材料不同（如矽基底上生長*********），需解決晶格失配問題。
• 優勢：homoepitaxy無需考慮晶格或熱膨脹系數差異，工藝更簡單。

4.相關技術

• 常見外延技術包括分子束外延（MBE）和化學氣相沉積（CVD），這些方法也可用于homoepitaxy。

homoepitaxy是半導體和電子器件制造中的關鍵工藝，通過同質材料的外延生長實現高性能晶體結構的制備。如需進一步了解外延技術分類，可參考相關材料科學文獻或專業詞典來源。

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