homoepitaxy是什么意思，homoepitaxy的意思翻译、用法、同义词、例句

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专业解析

Homoepitaxy（同质外延）是半导体材料科学中的一种薄膜生长技术，指在单晶衬底上沉积与衬底材料相同的单晶层的过程。例如，在硅（Si）衬底上生长硅薄膜，或在碳化硅（SiC）衬底上生长碳化硅外延层。这一过程通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法实现，确保晶体结构的连续性，减少晶格缺陷^。

其核心原理是晶格匹配，即衬底与外延层具有相同的晶体结构和晶格常数，从而避免界面应力或位错产生^。根据《薄膜沉积技术手册》（Handbook of Thin-Film Deposition），homoepitaxy广泛应用于高频电子器件（如HEMT晶体管）、激光二极管和功率半导体器件的制造，以提高材料纯度与器件性能^。

美国国家标准与技术研究院（NIST）的研究表明，homoepitaxy技术对制备低缺陷密度的第三代半导体（如GaN、SiC）至关重要，可显著提升器件在高电压、高温环境下的稳定性^。

网络扩展资料

homoepitaxy 是一个材料科学领域的专业术语，以下是详细解释：

1.词源与定义

• 词源：由前缀 homo-（源自希腊语，意为“相同”）和 epitaxy（外延生长）组成。
• 定义：指在同一种材料的基底上进行晶体外延生长的过程。例如，在单晶硅基底上生长硅外延层，保持晶体结构的一致性。

2.技术特点

• 材料一致性：基底与外延层化学成分和晶体结构完全相同。
• 应用场景：常见于半导体制造，用于优化晶体质量或修复基底缺陷，提升器件性能。

3.与异质外延的对比

• 异质外延（Heteroepitaxy）：基底与外延层材料不同（如硅基底上生长*********），需解决晶格失配问题。
• 优势：homoepitaxy无需考虑晶格或热膨胀系数差异，工艺更简单。

4.相关技术

• 常见外延技术包括分子束外延（MBE）和化学气相沉积（CVD），这些方法也可用于homoepitaxy。

homoepitaxy是半导体和电子器件制造中的关键工艺，通过同质材料的外延生长实现高性能晶体结构的制备。如需进一步了解外延技术分类，可参考相关材料科学文献或专业词典来源。

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