abbr. 故障估計機（Failure Rate Assessment Machine）
n. 幀
What are you doing in my fram?
你在我的農場做什麼？
Let me see your fram.
讓我看看你的鏡架。
As expected, the Fram became locked fast in the ice in September.
一如預計，到了9月弗拉姆號就迅速被凍結在冰中。
The fram-shear wall structure is adopted in Ningbo Baokang Sunshine Hospital.
］甯波保康光明醫院主體部分采用框架剪力牆結構體系。
They are measuring the sea ice in the Greenland Sea, Fram Strait and Arctic Ocean.
他們測量的地點在北冰洋弗拉姆海峽格陵蘭島海冰區域。
FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種結合了RAM高速讀寫特性與ROM非易失性特點的特殊存儲器。其核心原理是利用鐵電晶體材料的極化方向來存儲數據，斷電後信息仍可保留。以下是其關鍵特性與應用：
鐵電材料（如锆钛酸鉛）具有雙穩态極化特性。施加電場時，其晶格内的中心原子會移動至不同位置，分别代表"0"和"1"狀态。該狀态在電場移除後仍能保持，實現非易失性存儲（來源：富士通半導體技術白皮書）。
無需擦除周期，寫入速度可達EEPROM的千倍（微秒級），支持總線速度寫入（來源：德州儀器FRAM産品手冊）。
耐受102次讀寫循環（EEPROM通常為10次），適用于頻繁數據記錄場景（來源：英飛淩工業存儲器解決方案）。
寫入能耗僅為EEPROM的1/200，延長電池供電設備壽命（來源：IEEE《低功耗電子設計》期刊）。
注：FRAM與FeRAM（鐵電RAM）為同義術語，由JEDEC固态技術協會标準化（标準號JESD220B）。
FRAM是“Ferroelectric Random Access Memory”的縮寫，中文譯為鐵電存儲器，是一種結合了傳統RAM和非易失性存儲技術特性的存儲設備。以下是其詳細解析：
基本概念
FRAM利用鐵電材料的鐵電效應實現數據存儲。鐵電效應指在電場作用下，鐵電晶體内部原子的極化方向發生可逆變化，并在電場移除後保持穩定狀态，從而實現數據的非易失性存儲。
與DRAM的區别
傳統DRAM需周期性刷新以維持數據，而FRAM依靠鐵電材料的物理特性保存數據，無需外部電壓支持。
非易失性
斷電後數據仍能長期保存，與ROM類似。
高速與高耐久性
低功耗
無需刷新電路，能耗顯著低于傳統存儲技術。
工業與汽車電子
用于需高可靠性和快速響應的場景，如傳感器數據記錄、車載系統。
醫療設備
記錄醫療儀器實時數據，确保斷電後信息不丢失。
智能卡與物聯網
支持高頻次數據寫入，適用于智能卡、智能電表等。
通過綜合多個權威來源，FRAM的核心定義指向鐵電存儲器，其技術優勢使其在需要高速、耐久性和低功耗的領域具有廣泛應用前景。
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