abbr. 故障估计机（Failure Rate Assessment Machine）
n. 帧
What are you doing in my fram?
你在我的农场做什么？
Let me see your fram.
让我看看你的镜架。
As expected, the Fram became locked fast in the ice in September.
一如预计，到了9月弗拉姆号就迅速被冻结在冰中。
The fram-shear wall structure is adopted in Ningbo Baokang Sunshine Hospital.
］宁波保康光明医院主体部分采用框架剪力墙结构体系。
They are measuring the sea ice in the Greenland Sea, Fram Strait and Arctic Ocean.
他们测量的地点在北冰洋弗拉姆海峡格陵兰岛海冰区域。
FRAM（铁电随机存取存储器）是一种结合了RAM高速读写特性与ROM非易失性特点的特殊存储器。其核心原理是利用铁电晶体材料的极化方向来存储数据，断电后信息仍可保留。以下是其关键特性与应用：
铁电材料（如锆钛酸铅）具有双稳态极化特性。施加电场时，其晶格内的中心原子会移动至不同位置，分别代表"0"和"1"状态。该状态在电场移除后仍能保持，实现非易失性存储（来源：富士通半导体技术白皮书）。
无需擦除周期，写入速度可达EEPROM的千倍（微秒级），支持总线速度写入（来源：德州仪器FRAM产品手册）。
耐受102次读写循环（EEPROM通常为10次），适用于频繁数据记录场景（来源：英飞凌工业存储器解决方案）。
写入能耗仅为EEPROM的1/200，延长电池供电设备寿命（来源：IEEE《低功耗电子设计》期刊）。
注：FRAM与FeRAM（铁电RAM）为同义术语，由JEDEC固态技术协会标准化（标准号JESD220B）。
FRAM是“Ferroelectric Random Access Memory”的缩写，中文译为铁电存储器，是一种结合了传统RAM和非易失性存储技术特性的存储设备。以下是其详细解析：
基本概念
FRAM利用铁电材料的铁电效应实现数据存储。铁电效应指在电场作用下，铁电晶体内部原子的极化方向发生可逆变化，并在电场移除后保持稳定状态，从而实现数据的非易失性存储。
与DRAM的区别
传统DRAM需周期性刷新以维持数据，而FRAM依靠铁电材料的物理特性保存数据，无需外部电压支持。
非易失性
断电后数据仍能长期保存，与ROM类似。
高速与高耐久性
低功耗
无需刷新电路，能耗显著低于传统存储技术。
工业与汽车电子
用于需高可靠性和快速响应的场景，如传感器数据记录、车载系统。
医疗设备
记录医疗仪器实时数据，确保断电后信息不丢失。
智能卡与物联网
支持高频次数据写入，适用于智能卡、智能电表等。
通过综合多个权威来源，FRAM的核心定义指向铁电存储器，其技术优势使其在需要高速、耐久性和低功耗的领域具有广泛应用前景。
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