埋層；隱埋層
An on-resistance self limitation 2-d model for integrated power devices with buried layer is proposed.
對具有埋層結構的集成大功率器件提出了導通電阻自限制二維模型。
And the voltage resistance layer has double medium buried layers, where an intermediate layer is arranged between them.
本發明耐壓層具有雙介質埋層，兩介質埋層之間設置中間層。
A buried layer (7) is provided as a collector connection area which joins the collector contact (6) to a collector area (14).
埋層(7)作為集電極連接區域提供，用于連接集電極接觸(6)和集電極區(14)。
Using the derived amplitude and phase expressions, the experimental data of the three-layer sample are fitted. The thickness of the buried layer in the sample is calculated.
用推導的振幅和位相表達式拟合三層樣品的實驗數據，并計算出中間層的厚度。
A computer program has been set up to simulate the formation process and final structure of AlN layer on the basis of the formation mechanism of AlN buried layer by ion implantation.
基于離子注入形成A1N埋層的機理，利用計算機程式動态模拟A 1n層的形成過程及終态結構。
在半導體器件制造中，"buried layer"（埋層）指通過摻雜工藝在矽襯底内部形成的特定導電區域。該技術主要應用于雙極型晶體管和集成電路，通過高濃度摻雜（如磷或砷）形成低電阻路徑，可有效降低集電極串聯電阻，提高器件高頻特性。
埋層結構通常采用離子注入或擴散工藝實現，其厚度範圍在1-3微米之間，摻雜濃度高達10²⁰ atoms/cm³，相較未摻雜矽的電阻率降低約5個數量級。這種結構能優化載流子傳輸路徑，同時為後續外延生長提供隔離界面，防止寄生效應影響器件性能。
在先進CMOS工藝中，埋層技術被拓展應用于射頻器件和功率集成電路。例如絕緣體上矽（SOI）技術中的埋氧層，可實現完全的介質隔離，将襯底寄生電容降低至傳統結構的10%以下，顯著提升芯片工作頻率和抗輻射能力。
Buried Layer（埋層/隱埋層）是電子工程和半導體制造中的專業術語，指在基底材料内部形成的隱藏結構層，通常具有特定的電學或物理特性。以下是詳細解釋：
提示：該術語屬于專業領域，具體定義可能因應用場景略有差異。如需更詳細的工程參數，建議參考半導體制造手冊或集成電路設計資料。
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