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光电容率英文解释翻译、光电容率的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【化】 optical permittivity

分词翻译:

光的英语翻译:

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【医】 light; phot-; photo-

电容率的英语翻译:

【计】 capacitivity
【化】 permittivity
【医】 ***lectric constant

专业解析

光电容率(Optical Permittivity)是电磁学与光学交叉领域的核心参数,用于描述材料在光频范围内对电场的响应特性。其定义为介质中电场强度E与电位移D的比值关系,数学表达式为:

$$ boldsymbol{D} = varepsilon varepsilon_0 boldsymbol{E} $$

其中$varepsilon$为相对光电容率(无单位),$varepsilon_0$为真空介电常数(8.854×10⁻¹² F/m)。在光学波段,该参数通常表现为复数形式$tilde{varepsilon} = varepsilon' + ivarepsilon''$,实部$varepsilon'$反映介质极化能力,虚部$varepsilon''$表征光能损耗。

关键特性:

  1. 频散关系:光电容率随入射光频率变化,在等离子体共振频率附近会出现显著波动(来源:《Handbook of Optical Materials》Chapter 3)。
  2. 折射率关联:与复折射率$tilde{n} = n + ikappa$存在平方关系$tilde{n} = tilde{varepsilon}$,该关系被广泛应用于光谱椭圆偏振测量技术。
  3. 各向异性表现:在晶体材料中呈现张量特性,如方解石的双折射现象(参考:OSA《Applied Optics》第54卷)。

工程应用:

网络扩展解释

光电容率(Optical Permittivity)是指材料在光频范围内的介电常数,描述材料对光波(高频电磁波)的电极化响应特性。以下是详细解释:

  1. 基本定义
    电容率($varepsilon$)是电位移$D$与电场强度$E$的比值,即
    $$D = varepsilon E$$
    单位为法拉/米(F/m)。光电容率特指这一参数在光频段(约$10^{14}$~$10^{15}$ Hz)的表现。

  2. 复介电常数的形式
    在光学频段,电容率通常为复数:
    $$varepsilon = varepsilon' + ivarepsilon''$$

    • 实部$varepsilon'$:反映材料极化能力,与折射率$n$相关($varepsilon' approx n$);
    • 虚部$varepsilon''$:表征光吸收特性,对应消光系数$k$($varepsilon'' approx 2nk$)。
  3. 与极化率的关系
    相对电容率$varepsilon_r$满足:
    $$varepsilon_r = 1 + chi_e$$
    其中$chi_e$为电极化率。在光频下,电子极化是主要机制,其他极化(如离子极化)因频率过高无法响应。

  4. 频率依赖性
    电容率随电磁波频率变化:

    • 低频时,所有极化机制均参与;
    • 光频时,仅有电子极化响应,导致$varepsilon$显著降低(如水的$varepsilon$从静态80降至光频约1.8)。

应用场景:光电容率是设计光学器件(透镜、滤光片)和解释材料光学性质(如反射、透射、吸收)的核心参数。实际分析中需结合实验测量或基于量子力学的理论模型(如Drude-Lorentz模型)。

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