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光電容率英文解釋翻譯、光電容率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【化】 optical permittivity

分詞翻譯:

光的英語翻譯:

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-

電容率的英語翻譯:

【計】 capacitivity
【化】 permittivity
【醫】 ***lectric constant

專業解析

光電容率(Optical Permittivity)是電磁學與光學交叉領域的核心參數,用于描述材料在光頻範圍内對電場的響應特性。其定義為介質中電場強度E與電位移D的比值關系,數學表達式為:

$$ boldsymbol{D} = varepsilon varepsilon_0 boldsymbol{E} $$

其中$varepsilon$為相對光電容率(無單位),$varepsilon_0$為真空介電常數(8.854×10⁻¹² F/m)。在光學波段,該參數通常表現為複數形式$tilde{varepsilon} = varepsilon' + ivarepsilon''$,實部$varepsilon'$反映介質極化能力,虛部$varepsilon''$表征光能損耗。

關鍵特性:

  1. 頻散關系:光電容率隨入射光頻率變化,在等離子體共振頻率附近會出現顯著波動(來源:《Handbook of Optical Materials》Chapter 3)。
  2. 折射率關聯:與複折射率$tilde{n} = n + ikappa$存在平方關系$tilde{n} = tilde{varepsilon}$,該關系被廣泛應用于光譜橢圓偏振測量技術。
  3. 各向異性表現:在晶體材料中呈現張量特性,如方解石的雙折射現象(參考:OSA《Applied Optics》第54卷)。

工程應用:

網絡擴展解釋

光電容率(Optical Permittivity)是指材料在光頻範圍内的介電常數,描述材料對光波(高頻電磁波)的電極化響應特性。以下是詳細解釋:

  1. 基本定義
    電容率($varepsilon$)是電位移$D$與電場強度$E$的比值,即
    $$D = varepsilon E$$
    單位為法拉/米(F/m)。光電容率特指這一參數在光頻段(約$10^{14}$~$10^{15}$ Hz)的表現。

  2. 複介電常數的形式
    在光學頻段,電容率通常為複數:
    $$varepsilon = varepsilon' + ivarepsilon''$$

    • 實部$varepsilon'$:反映材料極化能力,與折射率$n$相關($varepsilon' approx n$);
    • 虛部$varepsilon''$:表征光吸收特性,對應消光系數$k$($varepsilon'' approx 2nk$)。
  3. 與極化率的關系
    相對電容率$varepsilon_r$滿足:
    $$varepsilon_r = 1 + chi_e$$
    其中$chi_e$為電極化率。在光頻下,電子極化是主要機制,其他極化(如離子極化)因頻率過高無法響應。

  4. 頻率依賴性
    電容率隨電磁波頻率變化:

    • 低頻時,所有極化機制均參與;
    • 光頻時,僅有電子極化響應,導緻$varepsilon$顯著降低(如水的$varepsilon$從靜态80降至光頻約1.8)。

應用場景:光電容率是設計光學器件(透鏡、濾光片)和解釋材料光學性質(如反射、透射、吸收)的核心參數。實際分析中需結合實驗測量或基于量子力學的理論模型(如Drude-Lorentz模型)。

分類

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