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沟道作用英文解释翻译、沟道作用的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 channeling

分词翻译:

沟道的英语翻译:

【计】 P-channel

作用的英语翻译:

affect; effect; intention; action; motive; operation
【医】 action; effect; process; role
【经】 role

专业解析

沟道作用 (Channel Effect) 的汉英词典角度解释

在半导体器件物理,特别是场效应晶体管(Field-Effect Transistor, FET)领域,“沟道作用”是一个核心概念。它指的是在特定条件下,于半导体材料的表面或体内部形成一条可供载流子(电子或空穴)流动的导电路径(即“沟道”)的物理现象及其调控机制。

  1. 核心定义与机制:

    • 沟道 (Channel): 指在半导体衬底(如硅)表面下方,通过施加外部电场(通常是栅极电压)诱导形成的、具有较高载流子浓度的薄层区域。这个区域连接了晶体管的源极(Source)和漏极(Drain),是电流流通的主要路径。
    • 作用 (Effect): 这里指“沟道”形成、调制以及控制电流的能力。具体来说:
      • 形成: 当施加在栅极上的电压超过某个临界值(称为阈值电压,Threshold Voltage, Vth)时,会在栅极下方的半导体表面感应出足够多的反型载流子(例如,在P型衬底上感应出电子),从而形成导电沟道。
      • 调制: 沟道的导电能力(即沟道电阻)直接受栅极电压控制。改变栅压可以改变沟道中载流子的浓度,进而精确调控从源极流向漏极的电流大小。这是FET作为电压控制型放大器和开关器件的基础。
      • 控制: 沟道的存在与否及其电导率决定了源漏之间是否导通以及导通的程度,实现了利用栅压对主电流通路的开关和放大控制作用。
  2. 关键特征与类型:

    • 载流子类型: 根据沟道中主导的载流子是电子还是空穴,FET可分为N沟道(NMOS,电子导电)和P沟道(PMOS,空穴导电)器件。
    • 阈值电压 (Vth): 是开启沟道所需的最小栅极电压,是器件的重要参数。
    • 沟道长度与宽度: 物理尺寸直接影响器件的电流驱动能力、速度和功耗,是现代集成电路微缩化的关键参数。
    • 沟道调制效应 (Channel-Length Modulation): 当漏极电压较高时,有效沟道长度会略微缩短,导致漏极电流随漏压增加而略有增加的现象。
  3. 应用与重要性: 沟道作用是所有场效应晶体管(包括MOSFET、JFET等)工作的物理基础。它使得:

    • 通过微小的栅极电压变化即可控制较大的源漏电流,实现信号放大。
    • 通过控制沟道的形成与消失,实现高效的电子开关。
    • 基于此原理构建的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术成为现代数字集成电路(如微处理器、存储器)的绝对主流技术,支撑了整个信息产业。

参考来源:

同义词/相关术语: 导电沟道 (Conductive Channel), 反型层 (Inversion Layer), 场效应 (Field Effect), 栅控 (Gate Control)。

网络扩展解释

关于“沟道作用”的具体解释,目前公开的词典和文献中并未直接定义该术语。但结合“沟道”的通用含义及相关领域用法,可尝试从以下角度分析:

1.传统语义中的“沟道”

2.电子学领域的延伸含义

3.可能的“沟道作用”解读

建议

由于现有资料未明确界定“沟道作用”,建议提供更多上下文或参考专业文献(如电子工程、地质学等领域),以便更精准解释。

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