
【电】 high frequency pentode
高频五极管(High-Frequency Pentode)是一种专为高频电路设计的电子真空管,其核心结构包含五个电极:阴极(Cathode)、阳极(Anode,又称屏极)以及三个栅极(控制栅极、帘栅极和抑制栅极)。相较于三极管和四极管,五极管通过抑制栅极的设计有效降低了极间电容对高频信号的干扰,同时提升了放大效率和稳定性。
关键特性与工作原理
电极功能:
高频优势:
抑制栅极的设计使五极管在短波(如射频)应用中表现出低噪声、高增益特性,尤其适用于振荡器、射频放大器和混频电路。例如,经典型号6AU6曾被广泛用于通信设备。
技术演进:
随着半导体技术发展,高频五极管在消费电子领域逐渐被晶体管取代,但在高功率射频发射、专业音频设备及工业检测仪器中仍具不可替代性。其设计原理对现代微波管(如磁控管)亦有深远影响。
权威参考来源
高频五极管是一种专门设计用于高频电路(如射频放大、振荡等场景)的电子管器件。其原理和结构特点如下:
高频五极管在传统三极管(阴极、屏极、栅极)基础上增加了两个栅极,共包含:
在射频放大应用中:
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V_{g2} = 100-150V(帘栅压)
V_{g3} = 0V(抑制栅接地)
μ(放大系数)可达1000-5000
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需注意:中关于PN结的描述存在概念混淆,实际五极管属于真空电子器件,并非半导体器件。高频五极管的详细参数可参考电子管手册(如6J1、6J4等型号)。
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