负阻管效应英文解释翻译、负阻管效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 dynatron effect

分词翻译：

负的英语翻译：

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【医】 Lift

阻的英语翻译：

block; hinder; obstruct
【医】 lock

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

效应的英语翻译：

effect
【医】 effect

专业解析

负阻管效应（Negative Resistance Tube Effect）是指某些电子器件（如真空管或半导体器件）在特定工作条件下，其电流-电压（I-V）特性曲线中出现电流随电压增加而减小的区段，即呈现负微分电阻特性的物理现象。该效应在振荡电路、放大器和开关电路中具有重要应用价值。

一、核心定义与物理机制

汉英对照定义
- 中文：负阻管效应指电子管（如四极管、五极管）或半导体器件（如隧道二极管）在特定偏置下，动态电阻（$frac{dV}{dI}$）为负值的现象。
- 英文：A phenomenon where certain electronic devices exhibit a region in their current-voltage characteristic curve withnegative differential resistance ($frac{dV}{dI} < 0$), meaning current decreases as voltage increases.
物理机制
该效应主要由载流子的特殊输运行为引起：
- 真空管：栅极电场调制电子流，形成"负阻区"（如四极管的二次发射效应导致阳极电流非单调变化）。
- 半导体器件：量子隧穿（隧道二极管）或载流子注入（单结晶体管）引发能带结构变化，产生负阻特性。

二、典型器件与应用场景

器件类型	工作原理	主要应用领域
真空四极管/五极管	二次电子发射抵消阳极电流	高频振荡器、射频放大器
隧道二极管	量子隧穿效应	微波振荡电路、高速开关
单结晶体管（UJT）	基极电阻调制导通特性	张弛振荡器、定时电路

三、工程意义与经典案例

负阻效应可实现自激振荡，无需外部反馈网络即可构建简易振荡器。例如：

隧道二极管振荡器：在微波频段（1–100 GHz）提供低功耗信号源，应用于雷达和通信系统。
负阻放大器：利用负阻区补偿电路损耗，提升高频信号增益（如早期电视接收机的中频放大级）。

权威参考文献

IEEE Xplore, "Negative Resistance in Vacuum Tubes"（真空管负阻机制分析）
ScienceDirect, "Tunnel Diode Physics"（隧道二极管量子隧穿模型）
MIT OpenCourseWare, "Microwave Negative-Resistance Oscillators"（微波振荡器设计）
《电子工程手册》, 第8章"负阻器件电路设计"（高等教育出版社）

注：链接仅供学术参考，访问日期请以实际为准。

网络扩展解释

负阻管效应（Dynatron Effect）是一种与电子管相关的电学现象，其核心特征是器件在特定工作条件下呈现“负电阻”特性，即电流增加时电压反而下降。以下是详细解释：

基本定义
负阻管效应常见于早期电子管（如四极管）中。当电子管阳极（屏极）的二次电子发射系数大于1时，轰击阳极的高能电子会激发出更多二次电子，导致阳极电流异常增加，而阳极电压却降低，形成负阻特性。
物理机制
这种现象与阳极材料的二次电子发射能力密切相关。当阳极电压较低时，二次电子可能被相邻电极（如带正电的帘栅极）吸收，导致阳极电流减少；随着阳极电压升高，二次电子被重新吸引回阳极，电流增加，但电压因能量损耗反而下降，形成负阻区。
应用领域
历史上，负阻管效应被用于设计振荡电路和信号发生器，例如利用其负阻特性产生高频振荡。但随着半导体技术的发展，此类电子管逐渐被晶体管等器件取代。

注：由于搜索结果提供的信息有限，建议进一步查阅电子工程或真空管技术相关文献以获取更详细的物理模型和数学表达式。