反向偏置的英文解释翻译、反向偏置的的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 reversed-biased

reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion

【计】 biasing
【化】 offset

在电子工程领域，"反向偏置"（reverse bias）指半导体器件中施加电压的极性方向阻碍电流流动的工作状态。以下从汉英对照角度进行专业解释：

基本定义反向偏置指在PN结两端施加外电压时，P型区接电源负极、N型区接正极的接法（P connected to negative terminal and N to positive terminal）。这种极性配置会增大耗尽层宽度，形成高阻抗状态。典型应用场景包括二极管整流电路和稳压管保护电路。
物理机制在反向偏置条件下，多数载流子（majority carriers）被拉离结区，导致扩散电流趋近于零。仅有少量少数载流子（minority carriers）形成的漂移电流存在，其数值通常在微安级（μA）量级。该特性被广泛应用于电容调谐器件设计。
应用对比

注意事项温度每升高10°C，反向饱和电流约增大1倍。实际应用中需考虑热击穿（thermal runaway）风险，特别是在功率器件设计中。建议参考IEEE标准1274-2020关于反向偏置安全工作区的定义。

（参考来源：Electronics-Tutorials.ws半导体基础、IEEE Xplore数据库、科学出版社《半导体物理与器件》第四版）

反向偏置是电子学中的核心概念，主要指在半导体器件（如二极管、晶体管）中施加特定方向电压的工作状态。以下是详细解释：

反向偏置指在PN结或二极管中，将P型半导体连接电源负极，N型半导体连接正极的电压施加方式。此时，二极管处于高阻态，仅有极小的反向饱和电流通过，呈现截止状态。

在实验设计或心理学中，“反向偏置”可能指与预期方向相反的偏差（如数据采集中的系统性误差），但此用法需结合具体上下文判断。

提示：如需更深入的电路分析或公式推导，可参考（搜狗百科）或（与非网）的完整内容。