反向偏置的英文解釋翻譯、反向偏置的的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 reversed-biased

分詞翻譯：

反向的英語翻譯：

reverse
【計】 reverse direction
【醫】 entypy; inversion

偏置的英語翻譯：

【計】 biasing
【化】 offset

專業解析

在電子工程領域，"反向偏置"（reverse bias）指半導體器件中施加電壓的極性方向阻礙電流流動的工作狀态。以下從漢英對照角度進行專業解釋：

1. 基本定義 反向偏置指在PN結兩端施加外電壓時，P型區接電源負極、N型區接正極的接法（P connected to negative terminal and N to positive terminal）。這種極性配置會增大耗盡層寬度，形成高阻抗狀态。典型應用場景包括二極管整流電路和穩壓管保護電路。

2. 物理機制 在反向偏置條件下，多數載流子（majority carriers）被拉離結區，導緻擴散電流趨近于零。僅有少量少數載流子（minority carriers）形成的漂移電流存在，其數值通常在微安級（μA）量級。該特性被廣泛應用于電容調諧器件設計。

3. 應用對比

• 矽二極管反向擊穿電壓範圍：50-1000V（典型值）
• 鍺器件反向漏電流：比矽器件高1-2個數量級
• 齊納二極管特殊設計利用反向擊穿特性實現穩壓功能

4. 注意事項 溫度每升高10°C，反向飽和電流約增大1倍。實際應用中需考慮熱擊穿（thermal runaway）風險，特别是在功率器件設計中。建議參考IEEE标準1274-2020關于反向偏置安全工作區的定義。

（參考來源：Electronics-Tutorials.ws半導體基礎、IEEE Xplore數據庫、科學出版社《半導體物理與器件》第四版）

網絡擴展解釋

反向偏置是電子學中的核心概念，主要指在半導體器件（如二極管、晶體管）中施加特定方向電壓的工作狀态。以下是詳細解釋：

1.基本定義

反向偏置指在PN結或二極管中，将P型半導體連接電源負極，N型半導體連接正極的電壓施加方式。此時，二極管處于高阻态，僅有極小的反向飽和電流通過，呈現截止狀态。

2.原理與電場效應

• 電場變化：反向電壓會增強PN結的内建電場，導緻耗盡層變寬，阻礙多數載流子（P區的空穴和N區的電子）的擴散。
• 電流特性：反向電流主要由少數載流子的漂移運動形成，數值極小且趨于恒定（理想情況下可忽略）。

3.與正向偏置的對比

4.應用場景

• 二極管開關：通過高速切換正/反向偏置狀态，實現電路通斷控制。
• 晶體管放大：在放大電路中，需使發射結正向偏置、集電結反向偏置以調節工作點。
• 穩壓與保護：利用反向擊穿特性（如齊納二極管）實現電壓穩定或電路保護。

5.其他領域中的延伸含義

在實驗設計或心理學中，“反向偏置”可能指與預期方向相反的偏差（如數據采集中的系統性誤差），但此用法需結合具體上下文判斷。

提示：如需更深入的電路分析或公式推導，可參考（搜狗百科）或（與非網）的完整内容。

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