非饱和逻辑电路英文解释翻译、非饱和逻辑电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 unsaturated logic circuit

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

saturation
【化】 equilibration; saturation
【医】 saturation

【化】 logic circuit

指晶体管在开关过程中不进入饱和区的数字逻辑电路。与饱和型逻辑电路（如TTL）不同，其晶体管始终工作于放大区（线性区）或截止区，通过避免载流子存储效应实现高速开关，但功耗较高。典型代表为发射极耦合逻辑（ECL）电路。

高速操作
晶体管不进入饱和状态，消除了因饱和区存储电荷导致的开关延迟（存储时间 ( t_s approx 0 )），理论开关速度可达皮秒级。例如ECL电路的传播延迟可低至1ns以下。

注：引用来源基于行业标准及学术文献虚拟编号，实际写作需替换为真实可溯源的权威链接（如IEEE Xplore、Elsevier等数据库文献）。

根据搜索结果和相关知识，“非饱和逻辑电路”是逻辑电路的一种工作模式分类，其核心特征在于晶体管未进入饱和状态。以下是详细解释：

定义与原理
非饱和逻辑电路指晶体管在开关过程中不进入深度饱和区的数字电路。与饱和型电路（如标准TTL）不同，其晶体管始终工作在放大区或截止区，避免了因饱和存储电荷造成的开关延迟。
典型示例
- ECL电路（发射极耦合逻辑）：通过差分放大器结构使晶体管保持非饱和状态，实现超高速度（传播延迟可低至0.1ns），但功耗较高。
- 某些改进型CMOS电路：通过优化设计减少电荷积累效应。
关键特性对比
| 特性 | 非饱和逻辑电路 | 饱和逻辑电路（如TTL） | |--------------|----------------------|-----------------------| | 开关速度 | 极快（避免电荷存储） | 较慢（需释放存储电荷）| | 功耗 | 较高 | 较低| | 抗干扰能力 | 相对较弱 | 较强|
应用场景
主要用于超高速计算领域，例如早期超级计算机的运算单元、高频通信芯片等。但因功耗问题，现代低功耗设备更倾向使用CMOS技术。

注：若需了解具体电路结构或数学表达式，可进一步说明需求。