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电可改写可编程只读存储器英文解释翻译、电可改写可编程只读存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 EAPROM

分词翻译:

电的英语翻译:

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

可的英语翻译:

approve; but; can; may; need; yet

改写的英语翻译:

redraft; adapt; overwrite; paraphrase; rewrite
【计】 overtype; overwrite
【经】 adapt

编的英语翻译:

plait; raddle; weave

程的英语翻译:

order; rule
【化】 range

只读存储器的英语翻译:

【计】 read-only storage; ROM
【化】 ROM

专业解析

电可改写可编程只读存储器 (EEPROM) 是一种重要的非易失性半导体存储器技术。其名称可拆解理解:

  1. 电可改写 (Electrically Erasable):指存储单元的内容可以通过施加特定的电信号来擦除。这是它与早期需要紫外线照射擦除的EPROM的关键区别,使得擦除操作更便捷、可集成在电路内部完成。
  2. 可编程 (Programmable):指存储单元的内容可以通过施加特定的电信号来写入(编程)。用户或系统可以根据需要写入数据。
  3. 只读存储器 (Read-Only Memory, ROM):指在正常工作状态下,存储的数据主要供读取使用。虽然它可以被改写,但改写过程通常比读取慢得多,且改写次数有限(通常在10万到100万次以上),因此其主要功能仍是存储相对固定的数据供读取。

综合定义: EEPROM是一种能够通过施加电信号进行擦除和重新编程的非易失性存储器。即使在断电后,其存储的数据也能长期保存。它结合了ROM的数据非易失性与RAM的可更新性(尽管更新速度较慢且次数有限),使其成为存储需要偶尔更新但又需长期保存的配置参数、校准数据或小量历史记录等场景的理想选择。

关键特性:

典型应用:

权威参考来源:

网络扩展解释

电可改写可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,简称EEPROM)是一种非易失性存储芯片,其核心功能是通过电子信号实现数据的擦除、改写和长期保存。以下从原理、功能和应用三方面详细解释:

一、基本原理

  1. 浮栅晶体管结构
    EEPROM的核心是浮栅晶体管(Floating Gate Transistor),通过栅极电荷的注入或释放改变导电性以存储数据。擦除时,施加高压释放浮栅中的电子;写入时则重新注入电子。

  2. 非易失性特点
    断电后数据仍能保存,且存储寿命可达数十年(如安森美产品数据保存达100年)。

二、功能特性

  1. 电擦除与改写
    区别于传统ROM或PROM(只能一次性编程),EEPROM支持通过电子信号反复擦写(通常可擦写百万次级)。

  2. 数据更新灵活性
    适用于需要频繁修改数据的场景,例如存储设备配置参数、用户偏好等,无需依赖外部电池维持数据。

三、应用场景

与其他ROM的对比

类型 擦写方式 可改写次数 典型用途
PROM 仅一次烧录 1次 固定程序存储
EPROM 紫外线擦除 约千次 早期嵌入式系统
EEPROM 电信号擦写 百万次级 需频繁更新的配置数据

总结来看,EEPROM的核心价值在于非易失性+电可改写的平衡,使其成为物联网、嵌入式系统等领域的关键元件。

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