英语翻译：

【计】 charge transfer device

相关词条：

1.charge-transferdevice(CTD)  

分词翻译：

电荷转移的英语翻译：

【化】 charge transfer

器件的英语翻译：

parts of an apparatus
【化】 device

专业解析

电荷转移器件（Charge-Coupled Device，CCD）是一种基于半导体技术的电子元件，其核心功能是通过可控方式转移存储的电荷包。在电子工程领域，CCD通过电极阵列与时钟信号配合，实现电荷的定向传输，这一特性使其在图像传感、信号处理等领域具有关键作用。

从结构上看，CCD由排列成线阵或面阵的金属-氧化物-半导体（MOS）电容单元构成。每个单元在外部电压控制下形成势阱，用于存储光生电荷。通过周期性改变相邻电极的电压，电荷包可沿预定路径逐级转移，最终由输出电路转换为电压信号。

该器件的典型应用包括：

1. 成像系统：如数码相机和天文望远镜，利用光电荷积累原理实现光电转换（参考：SPIE数字图书馆）
2. 模拟信号延迟：在雷达和通信系统中提供可控时间延迟（参考：IEEE Xplore文献库）
3. 存储器：早期计算机用其作为非易失性存储介质（参考：Springer电子工程手册）

与CMOS图像传感器相比，CCD具有高灵敏度与低噪声优势，但功耗和集成度较低。当前技术发展聚焦于背照式（BSI）结构与电子倍增（EMCCD）等创新方向（参考：Nature Photonics期刊）。

网络扩展解释

电荷转移器件（Charge Transfer Device, CTD）是一种基于电荷存储与转移原理的集成电路功能器件，主要用于信号处理、数据存储和传感等领域。以下是其核心要点：

1.基本概念

电荷转移器件通过控制电荷包在半导体材料中的有序转移来实现信息处理，其核心结构由一系列MOS（金属-氧化物-半导体）电容器阵列组成。器件通过施加时钟脉冲电压，在半导体表面形成势阱以存储和传输少数载流子（如电子或空穴），从而实现信号的延迟、移位或存储功能。

2.主要分类

• 电荷耦合器件（CCD）：利用相邻MOS电容间的电势耦合效应实现电荷转移，常用于图像传感器（如数码相机）和模拟信号处理。
• 斗链器件（BBD）：通过开关电路控制电荷在存储节点间的顺序转移，结构类似“水桶接力”，多用于延迟线电路。
• 电荷注入器件（CID）：通过注入电荷到半导体衬底实现信号检测，适用于光谱分析等场景。

3.工作原理

• 电荷存储：MOS电容在栅极电压作用下形成表面势阱，电荷被存储在势阱中。
• 电荷转移：通过周期性时钟脉冲改变相邻势阱的深度，使电荷包按顺序向下一势阱移动，传输效率取决于时钟频率和材料特性。

4.应用领域

• 成像与传感：CCD广泛应用于数码摄像、天文望远镜和医学成像。
• 信号处理：作为延迟线或模拟移位寄存器，用于通信和雷达系统。
• 存储与计算：早期用于动态存储器和数字逻辑电路，现部分技术被新型存储器替代。

5.优势与局限

• 优势：集成度高、功耗低、抗电磁干扰能力强。
• 局限：电荷传输效率受材料缺陷和时钟频率限制，且制造工艺复杂。

如需更完整的分类或技术细节，可参考相关书籍或专业文献（如、6、7中的资料）。

分类

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