电符扩散电容英文解释翻译、电符扩散电容的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffusion capacitence

分词翻译：

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

符的英语翻译：

accord with; symbol

扩散电容的英语翻译：

【电】 diffusion capacitance

专业解析

扩散电容（Diffusion Capacitance）是半导体器件中与载流子扩散过程相关的电容效应，主要存在于PN结正向偏置状态下。该现象由少数载流子在扩散过程中形成的电荷存储引起，其数值与注入载流子的浓度梯度及复合速率密切相关。

从物理机制分析，当PN结正偏时，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散，形成非平衡少数载流子浓度分布。这些载流子在扩散长度范围内存储的电荷量随电压变化，表现为电容特性。其数学表达式可表示为： $$ C_d = frac{dQ}{dV} = frac{q}{kT} cdot frac{Itau}{q} $$ 其中τ为少数载流子寿命，I为正向电流。

在工程应用中，扩散电容对高频器件性能有显著影响，例如：

二极管开关速度受存储电荷量制约
双极晶体管高频响应特性与扩散电容直接相关
太阳能电池载流子收集效率受此参数影响

该术语在权威文献中的英文定义为："A capacitance arising from the time-dependent diffusion of minority carriers in the quasi-neutral regions of a forward-biased p-n junction"（引自《半导体器件物理》第3版，施敏院士著作）。

网络扩展解释

扩散电容是半导体器件（如PN结、二极管、晶体管）中的一种重要电容效应，其核心机制与载流子的动态分布相关。以下是详细解释：

1.基本定义

扩散电容是由于非平衡少数载流子（少子）在PN结中性区的存储与释放引起的电容效应。当PN结正向偏置时，载流子注入导致浓度梯度，形成类似电容的充放电行为。

2.物理机制

正偏状态下的载流子注入：PN结正偏时，多数载流子（如P区的空穴、N区的电子）越过势垒区，成为对方区域的非平衡少子。
浓度梯度与电荷存储：少子在中性区形成浓度梯度，靠近结区的浓度高，远离时降低。电压变化时，存储的电荷量随之改变，表现为电容效应。

3.与势垒电容的区别

势垒电容：由空间电荷区（耗尽层）的电荷量随电压变化引起，反偏时主导，与耗尽层宽度相关。
扩散电容：仅存在于正偏状态，与少子存储相关，且随正向电压指数增长。

4.数学表达

扩散电容的计算通常与载流子寿命和电流相关，近似公式为： $$ C_d = frac{tau cdot I}{nV_T} $$ 其中：

$tau$：少子寿命
$I$：正向电流
$n$：理想因子（通常取1~2）
$V_T$：热电压（约26mV@室温）

5.实际影响

高频特性限制：扩散电容会降低器件的高频响应，因电荷存储需要时间充放电。
应用场景：在二极管开关电路、BJT放大器中需考虑其影响，尤其在快速切换或高频信号处理时。

扩散电容本质是正偏PN结中少子存储电荷的动态响应，与势垒电容共同构成结电容。其值随正向电流增大而显著增加，是半导体器件高频模型的关键参数。