電符擴散電容英文解釋翻譯、電符擴散電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffusion capacitence

分詞翻譯：

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

符的英語翻譯：

accord with; symbol

擴散電容的英語翻譯：

【電】 diffusion capacitance

專業解析

擴散電容（Diffusion Capacitance）是半導體器件中與載流子擴散過程相關的電容效應，主要存在于PN結正向偏置狀态下。該現象由少數載流子在擴散過程中形成的電荷存儲引起，其數值與注入載流子的濃度梯度及複合速率密切相關。

從物理機制分析，當PN結正偏時，電子從N區向P區擴散，空穴從P區向N區擴散，形成非平衡少數載流子濃度分布。這些載流子在擴散長度範圍内存儲的電荷量隨電壓變化，表現為電容特性。其數學表達式可表示為： $$ C_d = frac{dQ}{dV} = frac{q}{kT} cdot frac{Itau}{q} $$ 其中τ為少數載流子壽命，I為正向電流。

在工程應用中，擴散電容對高頻器件性能有顯著影響，例如：

二極管開關速度受存儲電荷量制約
雙極晶體管高頻響應特性與擴散電容直接相關
太陽能電池載流子收集效率受此參數影響

該術語在權威文獻中的英文定義為："A capacitance arising from the time-dependent diffusion of minority carriers in the quasi-neutral regions of a forward-biased p-n junction"（引自《半導體器件物理》第3版，施敏院士著作）。

網絡擴展解釋

擴散電容是半導體器件（如PN結、二極管、晶體管）中的一種重要電容效應，其核心機制與載流子的動态分布相關。以下是詳細解釋：

1.基本定義

擴散電容是由于非平衡少數載流子（少子）在PN結中性區的存儲與釋放引起的電容效應。當PN結正向偏置時，載流子注入導緻濃度梯度，形成類似電容的充放電行為。

2.物理機制

正偏狀态下的載流子注入：PN結正偏時，多數載流子（如P區的空穴、N區的電子）越過勢壘區，成為對方區域的非平衡少子。
濃度梯度與電荷存儲：少子在中性區形成濃度梯度，靠近結區的濃度高，遠離時降低。電壓變化時，存儲的電荷量隨之改變，表現為電容效應。

3.與勢壘電容的區别

勢壘電容：由空間電荷區（耗盡層）的電荷量隨電壓變化引起，反偏時主導，與耗盡層寬度相關。
擴散電容：僅存在于正偏狀态，與少子存儲相關，且隨正向電壓指數增長。

4.數學表達

擴散電容的計算通常與載流子壽命和電流相關，近似公式為： $$ C_d = frac{tau cdot I}{nV_T} $$ 其中：

$tau$：少子壽命
$I$：正向電流
$n$：理想因子（通常取1~2）
$V_T$：熱電壓（約26mV@室溫）

5.實際影響

高頻特性限制：擴散電容會降低器件的高頻響應，因電荷存儲需要時間充放電。
應用場景：在二極管開關電路、BJT放大器中需考慮其影響，尤其在快速切換或高頻信號處理時。

擴散電容本質是正偏PN結中少子存儲電荷的動态響應，與勢壘電容共同構成結電容。其值隨正向電流增大而顯著增加，是半導體器件高頻模型的關鍵參數。