起始逆向电压英文解释翻译、起始逆向电压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 initial inverse voltage

分词翻译：

起始的英语翻译：

incept; origination
【计】 start
【医】 impetus; onset

逆向电压的英语翻译：

【电】 revers voltage

专业解析

起始逆向电压（英文：Initial Reverse Voltage），在电力电子和半导体器件领域指半导体器件（如二极管、晶闸管）在反向偏置状态下，能够承受而不发生显著反向电流泄漏或击穿的最高电压阈值。它是器件反向阻断能力的核心参数，直接关系到电路的可靠性与安全性。以下从三个维度解析其含义：

一、基础定义与汉英对照

汉语术语：起始逆向电压（又称反向击穿电压、反向阻断电压）
英文对应：
- Initial Reverse Voltage（起始逆向电压）
- Reverse Breakdown Voltage（反向击穿电压）
- Peak Inverse Voltage, PIV（峰值反向电压）
  来源：IEEE标准术语库《IEEE Std 100》

二、物理机制与工程意义

当半导体器件施加反向电压时，内部PN结形成耗尽层。起始逆向电压即耗尽层临界电场强度对应的电压值，超过此值将引发以下物理效应：

雪崩击穿（Avalanche Breakdown）：高电场加速载流子碰撞电离，导致电流剧增；
齐纳击穿（Zener Breakdown）：重掺杂PN结的隧穿效应主导（常见于<5V低压器件）。

工程应用中的关键影响：

选型依据：设计电路时需确保工作反向电压低于器件标称起始逆向电压（通常取80%降额）；
失效模式：超压可能导致永久性热击穿，引发系统短路。

三、权威测试标准与典型值参考

根据国际电工委员会（IEC）标准IEC 60747-1，起始逆向电压的测试条件为：

在25°C环境温度下，施加反向电压至反向电流达到指定阈值（如硅二极管常取1mA）时的电压值。

常见器件典型范围：

器件类型	起始逆向电压范围	应用场景
整流二极管	50V–2000V	电源AC/DC转换
肖特基二极管	20V–200V	高频开关电路
晶闸管（SCR）	600V–6500V	电机驱动、高压整流

数据来源：ON Semiconductor《二极管与整流器手册》

四、温度依赖性公式

起始逆向电压随温度升高呈正系数变化（硅器件约+0.1%/°C），其关系可表述为：

V{BR}(T) = V{BR}(25°C) times left[1 + alpha_T (T - 25)right]

其中 $alpha_T$ 为温度系数，$T$ 为结温（单位：°C）。

公式来源：Texas Instruments《半导体温度特性白皮书》

权威参考文献来源：

IEEE Standards Association. IEEE Std 100: Dictionary of IEEE Standards Terms.
Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, Chap 2.
IEC 60747-1: Semiconductor devices - Part 1: General.
ON Semiconductor. Diode & Rectifier Applications Handbook.
Texas Instruments. Temperature Effects on Semiconductor Breakdown Voltages.

网络扩展解释

“起始逆向电压”这一术语在电子工程和半导体领域中通常与反向电压的初始阶段或临界值相关，但具体含义需结合上下文理解。以下是综合多来源的分析和解释：

1.基本定义

逆向电压（反向电压）：指施加在电子元件（如二极管、半导体器件）上的电压方向与正常工作方向相反的情况。例如，二极管阳极接电源负极、阴极接正极时，形成反向偏置。
起始逆向电压：可能指反向电压从零开始增加到某一临界值的起始阶段，或首次达到特定反向特性的电压阈值。

2.可能的场景解释

半导体器件中的临界值：在二极管等元件中，当反向电压从零逐渐增大时，初始阶段仅有微小漏电流；当电压达到反向击穿电压（如齐纳击穿或雪崩击穿）时，电流急剧增大。此击穿前的临界电压可能被称为起始逆向电压。
电感元件的瞬态响应：在含有电感（如线圈）的电路中，突然断开电源时，电感会产生瞬时反向电动势（如提到的“逆起电压”）。此时产生的初始峰值电压可视为起始逆向电压。

3.技术影响

器件保护：起始逆向电压可能涉及元件耐受反向电压的极限值，超过此值可能导致击穿或损坏。
电路设计：在开关电路或电力电子系统中，需考虑电感等元件断开时产生的起始逆向电压，通常通过续流二极管等保护措施抑制高压瞬态。

4.注意事项

该术语可能因应用场景不同而有差异，例如：
- 半导体领域：可能指反向偏置下首次出现显著漏电流的电压。
- 电力系统：可能指瞬态过程中反向电压的初始峰值。

建议在实际应用中结合具体上下文或技术文档进一步确认定义，例如参考半导体器件手册或电路保护设计指南。