等平面注入逻辑电路英文解释翻译、等平面注入逻辑电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 isoplanar integrated injection logic

分词翻译：

等平面的英语翻译：

【计】 isoplanar

注入的英语翻译：

infuse; inject; afflux; breathe into; fall into; pour into
【计】 implanted
【化】 injection; pour into
【医】 abouchement; Inf.; influx; infunde; infusion
【经】 injection

逻辑电路的英语翻译：

【化】 logic circuit

专业解析

等平面注入逻辑电路（Planar Injection Logic Circuit）是半导体制造中的关键技术，结合了等平面工艺与注入逻辑技术，用于制造高性能集成电路。以下是详细解释：

一、术语分解与汉英对照

等平面（Planar）
指芯片表面平坦化的制造工艺，通过化学机械抛光（CMP）消除表面起伏，确保后续光刻和薄膜沉积的精度。该技术由罗伯特·诺伊斯在1959年发明，是现代集成电路的基础。
注入（Injection）
即离子注入（Ion Implantation），将高能离子（如硼、磷）注入硅衬底，精确控制掺杂浓度以形成晶体管源/漏区。其掺杂浓度公式为：

$$ N(x) = N_0 expleft(-frac{(x-R_p)}{2Delta R_p}right) $$

其中 ( R_p ) 为投射射程，( Delta R_p ) 为标准偏差。
逻辑电路（Logic Circuit）
通过晶体管组合实现布尔运算的电路，注入逻辑特指利用载流子注入原理构建的高速开关电路，常见于ECL（发射极耦合逻辑）等低延迟设计中。

二、技术原理

等平面工艺优势：避免传统LOCOS隔离的鸟嘴效应，提升器件密度。例如，90nm工艺中晶体管密度可达 (1times10/text{cm})。
离子注入精准性：能量范围（1-200keV）和剂量（(10^{11}-10^{16}/text{cm})）可控，实现亚微米结深。
电路特性：注入逻辑通过控制少数载流子注入基区实现高速开关，延迟时间可低于100ps，但功耗较高。

三、应用场景

主要用于高频、抗辐射领域，如：

卫星通信芯片（抗宇宙射线干扰）
5G基站毫米波IC
量子计算机控制电路。

权威参考文献：

半导体制造技术基础（Springer）
离子注入物理模型（IEEE电子器件汇刊）
高速逻辑电路设计（Elsevier微电子期刊）
空间电子设备应用（NASA技术报告）

网络扩展解释

“等平面注入逻辑电路”是一个涉及半导体工艺和集成电路设计的复合术语，需拆解分析：

1. 等平面（Isoplanar）
指集成电路制造中的一种工艺技术，通过化学机械抛光（CMP）等步骤，使芯片表面各层结构保持平坦化。这种技术可减少光刻误差，提升器件密度和性能。

2. 注入（Ion Implantation）
即离子注入，是半导体掺杂的关键工艺。通过高能离子束轰击硅片，改变特定区域的电学特性（如形成PN结）。其优势包括精确控制掺杂浓度和深度。

3. 逻辑电路（Logic Circuit）
由晶体管（如CMOS结构）构成，用于实现与、或、非等逻辑功能的电路，常见于CPU、存储器等芯片的核心模块。

整合含义
“等平面注入逻辑电路”指采用等平面工艺制造的逻辑电路，其中通过离子注入技术精确控制晶体管掺杂区域。这种组合工艺能实现更高集成度、更低功耗和更稳定的电路性能，广泛应用于现代纳米级芯片制造。