等平面注入邏輯電路英文解釋翻譯、等平面注入邏輯電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 isoplanar integrated injection logic

分詞翻譯：

等平面的英語翻譯：

【計】 isoplanar

注入的英語翻譯：

infuse; inject; afflux; breathe into; fall into; pour into
【計】 implanted
【化】 injection; pour into
【醫】 abouchement; Inf.; influx; infunde; infusion
【經】 injection

邏輯電路的英語翻譯：

【化】 logic circuit

專業解析

等平面注入邏輯電路（Planar Injection Logic Circuit）是半導體制造中的關鍵技術，結合了等平面工藝與注入邏輯技術，用于制造高性能集成電路。以下是詳細解釋：

一、術語分解與漢英對照

等平面（Planar）
指芯片表面平坦化的制造工藝，通過化學機械抛光（CMP）消除表面起伏，确保後續光刻和薄膜沉積的精度。該技術由羅伯特·諾伊斯在1959年發明，是現代集成電路的基礎。
注入（Injection）
即離子注入（Ion Implantation），将高能離子（如硼、磷）注入矽襯底，精确控制摻雜濃度以形成晶體管源/漏區。其摻雜濃度公式為：

$$ N(x) = N_0 expleft(-frac{(x-R_p)}{2Delta R_p}right) $$

其中 ( R_p ) 為投射射程，( Delta R_p ) 為标準偏差。
邏輯電路（Logic Circuit）
通過晶體管組合實現布爾運算的電路，注入邏輯特指利用載流子注入原理構建的高速開關電路，常見于ECL（發射極耦合邏輯）等低延遲設計中。

二、技術原理

等平面工藝優勢：避免傳統LOCOS隔離的鳥嘴效應，提升器件密度。例如，90nm工藝中晶體管密度可達 (1times10/text{cm})。
離子注入精準性：能量範圍（1-200keV）和劑量（(10^{11}-10^{16}/text{cm})）可控，實現亞微米結深。
電路特性：注入邏輯通過控制少數載流子注入基區實現高速開關，延遲時間可低于100ps，但功耗較高。

三、應用場景

主要用于高頻、抗輻射領域，如：

衛星通信芯片（抗宇宙射線幹擾）
5G基站毫米波IC
量子計算機控制電路。

權威參考文獻：

半導體制造技術基礎（Springer）
離子注入物理模型（IEEE電子器件彙刊）
高速邏輯電路設計（Elsevier微電子期刊）
空間電子設備應用（NASA技術報告）

網絡擴展解釋

“等平面注入邏輯電路”是一個涉及半導體工藝和集成電路設計的複合術語，需拆解分析：

1. 等平面（Isoplanar）
指集成電路制造中的一種工藝技術，通過化學機械抛光（CMP）等步驟，使芯片表面各層結構保持平坦化。這種技術可減少光刻誤差，提升器件密度和性能。

2. 注入（Ion Implantation）
即離子注入，是半導體摻雜的關鍵工藝。通過高能離子束轟擊矽片，改變特定區域的電學特性（如形成PN結）。其優勢包括精确控制摻雜濃度和深度。

3. 邏輯電路（Logic Circuit）
由晶體管（如CMOS結構）構成，用于實現與、或、非等邏輯功能的電路，常見于CPU、存儲器等芯片的核心模塊。

整合含義
“等平面注入邏輯電路”指采用等平面工藝制造的邏輯電路，其中通過離子注入技術精确控制晶體管摻雜區域。這種組合工藝能實現更高集成度、更低功耗和更穩定的電路性能，廣泛應用于現代納米級芯片制造。