等离子化学气相沉积英文解释翻译、等离子化学气相沉积的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 PCVD; plasma chemical vapor deposition

分词翻译：

等离子的英语翻译：

【电】 plasmon

化学气相沉积的英语翻译：

【化】 chemical vapor deposition(CVD); CVD

专业解析

等离子化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一种结合等离子体技术与化学气相沉积（CVD）的薄膜制备工艺。其名称可拆解为三部分：

等离子体（Plasma）：指通过射频或微波激发气体形成的电离态物质，具有高反应活性；
化学气相（Chemical Vapor）：指气态前驱体（如SiH₄、NH₃等）在反应室中发生化学反应；
沉积（Deposition）：指反应生成的固态产物在基片表面形成纳米至微米级薄膜。

该技术通过等离子体将气体分子解离为高活性粒子，显著降低反应温度（常规CVD需800-1000°C，PECVD仅需200-400°C），适用于半导体器件、太阳能电池抗反射镀层和柔性显示器的氮化硅/氧化硅薄膜制备。根据美国国家标准与技术研究院（NIST）报告，PECVD可精确控制薄膜厚度（±5nm）与应力特性，这对集成电路多层布线至关重要。

牛津大学出版社《材料科学百科全书》指出，PECVD在非晶硅薄膜晶体管（TFT-LCD）制造中具有不可替代性，其沉积速率达20-100nm/min，且能保持基板热敏感材料的结构完整性。该工艺参数可通过调节射频功率（典型值13.56MHz）、气压（10-1000Pa）和气体比例优化。

网络扩展解释

等离子化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一种结合化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的薄膜制备方法，通过等离子体激活反应气体，降低反应温度并提升沉积效率。以下是详细解释：

1.定义与基本原理

PECVD利用等离子体（如射频、微波或直流放电产生的电离气体）的能量，将反应气体分解为活性离子和自由基，促进在基材表面的化学反应，从而形成固态薄膜。与传统CVD（需高温加热）相比，等离子体提供了额外的能量，使反应可在更低温度（如低于600℃）下进行。

2.核心过程

等离子体激活：通过辉光放电等产生高能电子，碰撞气体分子使其电离或激发（如分解为活性基团）。
传输与吸附：活性物质扩散至基材表面并吸附。
表面反应：吸附的活性组分在表面发生化学反应，形成薄膜（如氮化硅、氧化硅等）。
副产物脱附：反应副产物脱离表面，通过真空系统排出。

3.技术特点

低温沉积：适用于塑料、半导体等温度敏感材料，避免高温损伤。
高结合力：等离子体的溅射作用可清洁基材表面，增强薄膜附着力。
均匀性好：等离子体中的碰撞使沉积更均匀。
成分可控：通过调节气体比例和等离子参数，可精确控制薄膜成分（如掺杂）。

4.应用领域

半导体制造：沉积绝缘层（如SiO₂）或钝化层。
光学镀膜：制备增透膜、防反射涂层。
功能材料：合成金刚石薄膜（如MPCVD技术）。
新能源：用于太阳能电池的减反射层或封装层。

5.分类与衍生技术

根据等离子体激发方式，PECVD可分为：

射频等离子体（RF-PECVD）
微波等离子体（MW-PECVD）
直流等离子体（DC-PECVD）。

总结来看，PECVD通过等离子体与化学反应的协同作用，在低温下高效制备高性能薄膜，是微电子、光电子等领域的关键技术。如需更完整信息，可参考相关研究文献或设备说明文档。