等離子化學氣相沉積英文解釋翻譯、等離子化學氣相沉積的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 PCVD; plasma chemical vapor deposition

分詞翻譯：

等離子的英語翻譯：

【電】 plasmon

化學氣相沉積的英語翻譯：

【化】 chemical vapor deposition(CVD); CVD

專業解析

等離子化學氣相沉積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一種結合等離子體技術與化學氣相沉積（CVD）的薄膜制備工藝。其名稱可拆解為三部分：

等離子體（Plasma）：指通過射頻或微波激發氣體形成的電離态物質，具有高反應活性；
化學氣相（Chemical Vapor）：指氣态前驅體（如SiH₄、NH₃等）在反應室中發生化學反應；
沉積（Deposition）：指反應生成的固态産物在基片表面形成納米至微米級薄膜。

該技術通過等離子體将氣體分子解離為高活性粒子，顯著降低反應溫度（常規CVD需800-1000°C，PECVD僅需200-400°C），適用于半導體器件、太陽能電池抗反射鍍層和柔性顯示器的氮化矽/氧化矽薄膜制備。根據美國國家标準與技術研究院（NIST）報告，PECVD可精确控制薄膜厚度（±5nm）與應力特性，這對集成電路多層布線至關重要。

牛津大學出版社《材料科學百科全書》指出，PECVD在非晶矽薄膜晶體管（TFT-LCD）制造中具有不可替代性，其沉積速率達20-100nm/min，且能保持基闆熱敏感材料的結構完整性。該工藝參數可通過調節射頻功率（典型值13.56MHz）、氣壓（10-1000Pa）和氣體比例優化。

網絡擴展解釋

等離子化學氣相沉積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一種結合化學氣相沉積（CVD）與等離子體技術的薄膜制備方法，通過等離子體激活反應氣體，降低反應溫度并提升沉積效率。以下是詳細解釋：

1.定義與基本原理

PECVD利用等離子體（如射頻、微波或直流放電産生的電離氣體）的能量，将反應氣體分解為活性離子和自由基，促進在基材表面的化學反應，從而形成固态薄膜。與傳統CVD（需高溫加熱）相比，等離子體提供了額外的能量，使反應可在更低溫度（如低于600℃）下進行。

2.核心過程

等離子體激活：通過輝光放電等産生高能電子，碰撞氣體分子使其電離或激發（如分解為活性基團）。
傳輸與吸附：活性物質擴散至基材表面并吸附。
表面反應：吸附的活性組分在表面發生化學反應，形成薄膜（如氮化矽、氧化矽等）。
副産物脫附：反應副産物脫離表面，通過真空系統排出。

3.技術特點

低溫沉積：適用于塑料、半導體等溫度敏感材料，避免高溫損傷。
高結合力：等離子體的濺射作用可清潔基材表面，增強薄膜附着力。
均勻性好：等離子體中的碰撞使沉積更均勻。
成分可控：通過調節氣體比例和等離子參數，可精确控制薄膜成分（如摻雜）。

4.應用領域

半導體制造：沉積絕緣層（如SiO₂）或鈍化層。
光學鍍膜：制備增透膜、防反射塗層。
功能材料：合成金剛石薄膜（如MPCVD技術）。
新能源：用于太陽能電池的減反射層或封裝層。

5.分類與衍生技術

根據等離子體激發方式，PECVD可分為：

射頻等離子體（RF-PECVD）
微波等離子體（MW-PECVD）
直流等離子體（DC-PECVD）。

總結來看，PECVD通過等離子體與化學反應的協同作用，在低溫下高效制備高性能薄膜，是微電子、光電子等領域的關鍵技術。如需更完整信息，可參考相關研究文獻或設備說明文檔。