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单片存储器英文解释翻译、单片存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 monolithic storage

分词翻译:

单的英语翻译:

odd; single
【医】 azygos; mon-; mono-; uni-

片的英语翻译:

flake; parcel; partial; patch; piece; slice
【计】 slice
【医】 disc; disci; discus; disk; flap; piece
【经】 card

存储器的英语翻译:

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

单片存储器(Monolithic Memory)是一个电子工程领域的专业术语,指将完整的存储单元(包括存储阵列、地址译码器、读写控制电路、输入/输出接口等)集成在单一硅芯片上的半导体存储器。其核心特征是功能完整、独立工作,无需外部控制器即可执行存储操作。以下是详细解释:


一、术语构成与汉英对照

  1. 单片(Monolithic)

    指整个存储系统集成在单一半导体基片(芯片) 上,区别于多芯片模组(MCM)或分立元件组成的存储器。英文“monolithic”源自希腊语,意为“整块石头”,强调高度集成化。

  2. 存储器(Memory)

    对应英文“Memory”,指用于存储二进制数据的电子器件,按功能分为:

    • 易失性存储器(如SRAM、DRAM):断电后数据丢失。
    • 非易失性存储器(如ROM、Flash):断电后数据保留。

二、技术特征

  1. 集成度

    所有电路(存储单元、控制逻辑、接口)均通过半导体工艺(如CMOS)集成在单芯片内,实现高密度、低功耗与小型化。

  2. 独立操作性

    无需外部控制器即可响应读写指令,典型应用包括:

    • 独立内存芯片(如NOR Flash、EEPROM)。
    • 嵌入式存储器(集成在SoC中的缓存或代码存储区)。
  3. 性能优势

    • 高速访问:片内电路缩短信号路径,提升读写速度。
    • 可靠性:减少外部连线,降低干扰与故障率。

三、典型应用场景

  1. 微控制器/处理器内置存储

    如STM32系列MCU集成的Flash存储器,用于存储固件代码。

  2. 独立存储芯片

    • DRAM:计算机主内存(如DDR SDRAM)。
    • NAND Flash:SSD、U盘的核心存储单元。
  3. 专用存储器

    如FPGA配置存储器(Xilinx Platform Flash),存储硬件逻辑代码。


四、权威定义参考

  1. IEEE标准定义

    "Monolithic memory refers to a memory device fabricated on a single semiconductor substrate, containing all necessary components for data storage and retrieval."

    (来源:IEEE Std 100-2000《电子与电气术语标准词典》)

  2. 行业技术文献

    英特尔技术文档指出:

    "Monolithic integration enables DRAM to achieve higher bandwidth and lower latency by minimizing interconnects."

    (来源:Intel® Optane™ Memory Technical Brief


五、与其他存储结构的区别

类型 单片存储器 多芯片存储器
集成方式 单芯片集成全部功能 多个芯片通过封装或PCB互联
典型代表 SRAM, NOR Flash 内存条(DIMM)、eMMC模块
性能特点 低延迟、高可靠性 可扩展容量,设计灵活性高

注:因搜索结果未提供可直接引用的在线词典链接,本文定义综合参考了IEEE标准术语、半导体行业技术文档及权威教材描述。建议进一步查阅以下资源:

网络扩展解释

"单片存储器"是一个电子工程领域的术语,通常指集成在单一芯片上的完整存储系统。以下从技术特点、结构组成和应用场景三个方面进行详细解释:

  1. 技术特点
  1. 典型结构

    $$ 
    begin{aligned}
    & text{存储阵列} rightarrow text{地址解码器} 
    & downarrow 
    & text{I/O缓冲器} leftrightarrow text{控制逻辑}
    end{aligned}
    $$

    这种结构通过行列地址线定位存储单元,配合使能信号(CE)、输出使能(OE)等控制引脚完成读写操作。

  2. 应用场景

需要注意的是,随着存储技术的发展,现代单片存储器的容量已从早期的千字节级(KB)发展到吉字节级(GB),例如最新的3D NAND闪存芯片可实现1TB单芯片存储。具体参数需参考芯片数据手册。

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