
【计】 storage fill
存储器填充(Memory Padding)是计算机系统中用于优化内存访问效率的结构化存储技术,指在数据存储时为满足对齐要求而插入的冗余空间。该术语对应英文"memory padding",常见于处理器架构设计与编程领域。
从技术实现看,存储器填充通过以下方式运作:
struct{char a; int b}
会插入3字节填充使int对齐该技术的理论基础源于《计算机体系结构:量化研究方法》(Hennessy & Patterson著)中阐述的内存墙理论,通过减少总线事务次数提升系统整体性能。ARM架构参考手册明确指出,未对齐内存访问可能导致硬件异常或性能下降。
在存储芯片层面,美光科技(Micron)的DDR4技术白皮书显示,内存控制器通过bank group间的填充调度可实现更高的数据吞吐率。这种硬件级填充机制与软件层的结构体填充形成完整优化体系。
关于“存储器填充”的解释需要分两部分理解:
一、存储器(Memory) 存储器是计算机系统中用于存储程序、数据和运算结果的设备,主要分为:
二、填充(Padding) 根据内存对齐机制说明,填充是指在存储器中插入空白区域的技术:
补充说明:"存储器填充"并非标准术语组合,可能是对内存对齐机制中填充操作的特定表述。实际应用中,这种填充操作主要发生在内存(内存储器)而非外存储器中。
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