
【計】 memory cell diagram
【計】 memory cell; MOS storage cell; storage cell; storage location
store cell; store location; unit of storage
【化】 memory cell
【經】 location
chart; drawing; fig.; map; plot; picture; intention; attempt; plan
【計】 diagram; graphtyper
【化】 diagram
【醫】 chart; column diagram; diagram; graph; map; picture; schema; scheme
sheet
在計算機體系結構與數字電路設計中,"存儲單元圖"對應的英文術語為"Memory Cell Diagram"或"Storage Unit Schematic",指用圖形化方式展示半導體存儲器基本構成單元的工程圖紙。該圖示通常包含以下核心要素:
晶體管陣列:由MOSFET構成的雙穩态電路,用于保持二進制狀态(0/1),常見于SRAM單元設計。加州大學伯克利分校《數字集成電路設計》課程指出,典型6晶體管結構能實現非破壞性讀取。
電容結構:DRAM單元的核心元件,通過電荷存儲實現數據保持。美光科技技術白皮書顯示,現代DDR5存儲器單元電容容量已降至10fF量級。
互連層:包含位線(Bit Line)、字線(Word Line)和電源線,德州儀器模拟技術手冊強調其阻抗匹配對存取速度有決定性影響。
三維堆疊:英特爾Optane存儲器采用3D XPoint技術,單元圖顯示存儲單元垂直堆疊于矽基闆,突破傳統平面布局限制。
該圖示在芯片設計階段需遵循IEEE 1801-2015标準規定的低功耗設計規範,包含電源門控和電壓域劃分标注。三星電子Foundry設計手冊特别注明,10nm以下工藝需在單元圖中标注量子隧穿效應補償電路。
關于“存儲單元圖”的解釋可能存在不同理解,需要結合具體上下文判斷。以下是兩種常見角度的解釋:
存儲單元的結構圖示
存儲單元組成的圖結構
注意:若涉及具體領域(如硬件設計、數據庫存儲結構),建議補充說明應用場景,以便提供更精準的解釋。
變形細胞産生的編址寄存器标準工作沉澱罐持有外國股份處理機類型彈簧回火電阻絲動量守恒二甲花翠素分子力場鞏角膜的國家稅收政策國際純粹與應用化學聯合會劃時資料環記錄修改帶晶狀體囊切除術局部壓力損失可移植代碼生成擴展異例累計淨提款額連接裝配區隊列美山茱萸素腔靜脈後輸尿管前胡前天嗜碘性失運動能同質新生未定義語句标號