磁泡硬错率英文解释翻译、磁泡硬错率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bubble hard error

【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

firm; forcedly; forcibly; good; hard; rigidity; stiff; strong; tough
【医】 pachy-; scirrho-

alternate; complex; fault; wrong
【医】 allo-
【经】 miscount

frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【医】 rate
【经】 rater.

磁泡硬错率的专业解析

磁泡硬错率（Magnetic Bubble Hard Error Rate）是磁泡存储器（Magnetic Bubble Memory）领域的核心参数，指存储单元因物理缺陷导致数据永久性丢失的概率。以下从术语构成、技术原理及影响维度展开分析：

磁泡（Magnetic Bubble）
指在磁性石榴石薄膜（如Gd₃Ga₅O₁₂）中形成的圆柱形磁畴，通过外加磁场控制其移动以实现数据存储。其状态（存在/消失）对应二进制“1”或“0”。

来源：IEEE磁学汇刊（IEEE Transactions on Magnetics）
硬错（Hard Error）
因材料晶格缺陷、制备工艺瑕疵或物理损伤导致的不可逆数据错误。区别于“软错”（由瞬时干扰引起），硬错无法通过纠错机制修复。

来源：贝尔实验室技术期刊（Bell System Technical Journal）
硬错率量化指标
通常以单位面积/时间内的错误比特数表示（如 errors/bit/cm²），反映存储介质的可靠性。1970年代商用磁泡存储器要求硬错率低于10⁻¹² errors/bit。

来源：IBM存储技术报告（IBM Journal of Research and Development）

磁泡硬错率的核心成因包括：

磁泡存储器在1970-80年代作为非易失性存储方案，应用于航天、军工等极端环境。硬错率直接决定设备寿命，例如：

尽管磁泡存储器已被闪存取代，其硬错率研究仍推动现代存储技术发展：

注：本文定义与机理由磁学、半导体存储领域权威文献综合提炼，涵盖术语的技术本质与应用场景。

“磁泡硬错率”是磁泡存储器技术中的专业术语，具体解释如下：

1. 磁泡的定义磁泡（Bulle magnétique）指在外加磁场作用下，磁性材料中形成的圆柱状磁畴结构。这种结构因形似气泡而得名，常用于早期计算机存储技术（如磁泡存储器）。

2. 硬错率的含义硬错率（Hard Error Rate）指存储介质中因物理缺陷或不可逆损伤导致数据无法被正确读取或恢复的错误比率。与软错误（可通过纠错机制修复）不同，硬错误通常需要物理修复或替换存储单元。

3. 磁泡硬错率的应用背景在磁泡存储器中，磁泡的生成、移动和检测过程可能因材料缺陷、磁场干扰或制造瑕疵，导致存储数据出现永久性错误。监测和降低硬错率是提升此类存储设备可靠性的关键指标。

扩展说明磁泡技术曾用于20世纪70-80年代的固态存储器，后逐渐被半导体存储取代。其原理是通过控制磁场方向改变磁畴状态，实现二进制数据存储。