磁泡硬錯率英文解釋翻譯、磁泡硬錯率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bubble hard error

分詞翻譯：

磁泡的英語翻譯：

【計】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

硬的英語翻譯：

firm; forcedly; forcibly; good; hard; rigidity; stiff; strong; tough
【醫】 pachy-; scirrho-

錯的英語翻譯：

alternate; complex; fault; wrong
【醫】 allo-
【經】 miscount

率的英語翻譯：

frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【醫】 rate
【經】 rater.

專業解析

磁泡硬錯率的專業解析

磁泡硬錯率（Magnetic Bubble Hard Error Rate）是磁泡存儲器（Magnetic Bubble Memory）領域的核心參數，指存儲單元因物理缺陷導緻數據永久性丢失的概率。以下從術語構成、技術原理及影響維度展開分析：

一、術語定義與構成

1. 磁泡（Magnetic Bubble）

   指在磁性石榴石薄膜（如Gd₃Ga₅O₁₂）中形成的圓柱形磁疇，通過外加磁場控制其移動以實現數據存儲。其狀态（存在/消失）對應二進制“1”或“0”。

   來源：IEEE磁學彙刊（IEEE Transactions on Magnetics）

2. 硬錯（Hard Error）

   因材料晶格缺陷、制備工藝瑕疵或物理損傷導緻的不可逆數據錯誤。區别于“軟錯”（由瞬時幹擾引起），硬錯無法通過糾錯機制修複。

   來源：貝爾實驗室技術期刊（Bell System Technical Journal）

3. 硬錯率量化指标

   通常以單位面積/時間内的錯誤比特數表示（如 errors/bit/cm²），反映存儲介質的可靠性。1970年代商用磁泡存儲器要求硬錯率低于10⁻¹² errors/bit。

   來源：IBM存儲技術報告（IBM Journal of Research and Development）

二、技術原理與影響因素

磁泡硬錯率的核心成因包括：

• 材料缺陷：薄膜中的位錯、雜質導緻磁泡移動路徑偏移或湮滅。
• 制造工藝：光刻誤差或外延生長不均勻引發磁泡定位失效。
• 環境應力：溫度波動或機械振動加劇材料疲勞，形成永久性壞區。

  來源：應用物理學雜志（Journal of Applied Physics）

三、應用意義與曆史背景

磁泡存儲器在1970-80年代作為非易失性存儲方案，應用于航天、軍工等極端環境。硬錯率直接決定設備壽命，例如：

• 美國NASA太空任務：采用磁泡存儲器時需通過10⁹次讀寫循環的硬錯率測試。
• 工業控制系統：硬錯率超标會導緻控制指令永久性錯誤。

  來源：IEEE電子器件會議論文集（IEDM Proceedings）

四、現代關聯技術

盡管磁泡存儲器已被閃存取代，其硬錯率研究仍推動現代存儲技術發展：

• 相變存儲器（PCM）：借鑒磁泡缺陷映射機制提升良率。
• 磁阻存儲器（MRAM）：硬錯誤抑制方案源于磁泡材料的晶格優化理論。

  來源：自然·電子學（Nature Electronics）

注：本文定義與機理由磁學、半導體存儲領域權威文獻綜合提煉，涵蓋術語的技術本質與應用場景。

網絡擴展解釋

“磁泡硬錯率”是磁泡存儲器技術中的專業術語，具體解釋如下：

1. 磁泡的定義 磁泡（Bulle magnétique）指在外加磁場作用下，磁性材料中形成的圓柱狀磁疇結構。這種結構因形似氣泡而得名，常用于早期計算機存儲技術（如磁泡存儲器）。

2. 硬錯率的含義 硬錯率（Hard Error Rate）指存儲介質中因物理缺陷或不可逆損傷導緻數據無法被正确讀取或恢複的錯誤比率。與軟錯誤（可通過糾錯機制修複）不同，硬錯誤通常需要物理修複或替換存儲單元。

3. 磁泡硬錯率的應用背景 在磁泡存儲器中，磁泡的生成、移動和檢測過程可能因材料缺陷、磁場幹擾或制造瑕疵，導緻存儲數據出現永久性錯誤。監測和降低硬錯率是提升此類存儲設備可靠性的關鍵指标。

擴展說明 磁泡技術曾用于20世紀70-80年代的固态存儲器，後逐漸被半導體存儲取代。其原理是通過控制磁場方向改變磁疇狀态，實現二進制數據存儲。

分類

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