磁泡形成场英文解释翻译、磁泡形成场的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 run-out field of bubble

分词翻译：

磁泡的英语翻译：

【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

形成的英语翻译：

form; engender; come into being; emerge; fashion; mould; pose; shape
【医】 formation
【经】 forms; shape

场的英语翻译：

field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant

专业解析

磁泡形成场 (cí pào xíng chéng chǎng)

在磁学与电子工程领域，磁泡形成场（英文：Bubble Formation Field）指在特定磁性材料（如石榴石薄膜或非晶态合金）中，为生成并稳定磁泡（Magnetic Bubble）所需施加的临界磁场强度。磁泡是材料内部形成的圆柱形磁畴，其磁化方向垂直于薄膜表面，在偏置磁场作用下呈现为可移动的“泡状”结构。

核心概念解析

物理机制
磁泡形成场是克服材料磁各向异性能、退磁场能等能量壁垒的最小磁场。当外加垂直磁场达到该阈值时，原本呈条状或迷宫状的磁畴会收缩为孤立的圆柱形磁畴（即磁泡），其直径由材料特性（如交换常数、磁晶各向异性）和磁场强度共同决定。
技术应用背景
磁泡存储器（1970-1980年代）曾利用该原理存储数据，通过控制局部磁场移动磁泡实现信息读写。形成场是器件设计的核心参数，直接影响存储密度与稳定性。
汉英术语对照
- 磁泡 (Magnetic Bubble)：磁性材料中孤立的圆柱形磁畴。
- 形成场 (Formation Field)：磁泡从条状磁畴转变为稳定泡状所需的临界磁场强度（符号：$H_{text{form}}$）。

权威定义参考

根据磁学标准术语：

磁泡形成场定义为：在垂直磁化的单轴各向异性薄膜中，使条状磁畴完全转变为孤立磁泡的最小偏置磁场强度。其数值满足：
$$

H_{text{form}} propto frac{K_u}{M_s} - frac{N_d M_s}{4}

$$

其中 $K_u$ 为磁晶各向异性常数，$M_s$ 为饱和磁化强度，$N_d$ 为退磁因子。

技术意义

稳定性判据：若工作磁场 $H < H{text{form}}$，磁泡会坍缩为条状畴；若 $H gg H{text{form}}$，磁泡则可能过度收缩至消失。
器件设计依据：早期磁泡存储器需精确控制 $H_{text{form}}$ 以匹配驱动电路，例如在钇铁石榴石（YIG）薄膜中，典型值范围为 $50-200 text{Oe}$（奥斯特）。

参考资料

磁泡技术原理（Springer材料科学手册）
链接：Magnetic Domains and Bubble Memory

IEEE磁学学会术语标准
链接：IEEE Standard Definitions in Magnetics

磁畴动力学模型（美国国家实验室报告）
链接：NIST Magnetic Bubble Dynamics

网络扩展解释

“磁泡形成场”（run-out field of bubble）是计算机技术领域的术语，主要用于描述磁性存储介质中的一种物理现象。以下是详细解释：

基本概念

指在特定磁性材料（如石榴石薄膜）中，用于控制微小磁畴（即“磁泡”）生成和稳定性的外部磁场环境。该磁场通过调节强度和方向，使材料内部形成规则排列的柱状磁泡，用以表示二进制数据中的“0”和“1”。

技术特点

磁泡特性：每个磁泡直径约1-100微米，在垂直磁场作用下呈现圆柱形结构
控制原理：通过外部磁场改变磁泡的移动路径和排列方式
存储应用：曾用于磁泡存储器（Bubble Memory），这种非易失性存储器在1970-1980年代被研究用于航天和工业设备

发展现状

由于半导体存储技术（如DRAM、Flash）的快速发展，磁泡存储器已基本被取代，但相关研究仍在磁性材料领域持续进行。

注：当前可查资料较为有限，建议通过《计算机存储技术发展史》《磁性材料原理》等专业文献获取更详细的技术参数和应用案例。