场效应管英文解释翻译、场效应管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 field-effect tube

分词翻译：

场效应的英语翻译：

【化】 field effect

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

专业解析

场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应控制电流的三端半导体器件，其核心特征是通过栅极电压调节导电沟道的导通状态。作为电压控制型器件，它与双极型晶体管（BJT）的电流控制机制形成本质区别。

结构组成

典型FET包含三个电极：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。以金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）为例，其结构由半导体衬底、绝缘氧化层和金属栅极构成，根据掺杂类型可分为N沟道与P沟道两种基本形态（参考：《半导体器件物理与工艺》第三版）。

工作机理

当栅极施加偏置电压时，会在半导体表面形成反型层作为导电通道。以N-MOSFET为例，正栅压使P型衬底表面产生电子积累层，形成源漏极间的低阻通路。漏极电流$ID$与栅源电压$V{GS}$满足平方律关系： $$ I_D = mun C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS}-V{th})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$ 该公式源自IEEE Transactions on Electron Devices期刊的器件建模研究。

主要分类

结型场效应管（JFET）：通过PN结耗尽区宽度控制导电沟道
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：现代集成电路的基础元件
高电子迁移率晶体管（HEMT）：采用异质结结构的微波器件（数据来源：Electronics Tutorials）

典型应用

• 功率放大电路中的射频MOSFET（IEEE Microwave Magazine）

• CMOS逻辑门电路的核心开关元件

• 电源管理芯片中的功率开关器件（参考：Texas Instruments技术文档）

网络扩展解释

场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，属于电压控制型单极型晶体管。以下是其核心概念和原理的综合解析：

一、定义与基本特性

核心定义
场效应管通过输入回路的电场效应调节输出回路电流，仅依赖多数载流子（电子或空穴）导电，因此被称为单极型晶体管。其输入阻抗极高（可达10⁸~10⁹Ω），几乎不取电流，适合低功耗场景。
主要特点
- 高输入阻抗：栅极几乎无电流输入，适合高灵敏度电路。
- 低噪声与稳定性：热稳定性好，抗辐射能力强，适合精密放大电路。
- 易集成化：是集成电路（IC）的核心元件之一。

二、分类与结构

主要类型
- 结型场效应管（JFET）：通过PN结反向偏压控制导电沟道宽度。
- 绝缘栅型场效应管（MOSFET）：利用栅极金属层与半导体间的绝缘层（如二氧化硅）形成电场，分为增强型和耗尽型。
电极结构
包含三个电极：
- 栅极（Gate, G）：施加控制电压，调节沟道导电性。
- 源极（Source, S）：载流子进入的端口（如N沟道为电子，P沟道为空穴）。
- 漏极（Drain, D）：载流子流出的端口，连接负载或电源。

三、工作原理

电场控制机制
- 栅源电压（UGS）：通过改变UGS的极性或大小，调节导电沟道的宽度（耗尽层扩展或收缩），从而控制漏极电流（ID）。
- 漏源电压（UDS）：当UDS增大时，沟道可能发生预夹断（近漏端耗尽层接触），此时漏极电流趋于饱和（恒流区）。
输出特性曲线
- 可变电阻区：UDS较小时，ID随UDS线性变化，沟道电阻可变。
- 恒流区：UDS超过夹断电压后，ID仅由UGS控制，用于放大电路。
- 击穿区：UDS过高导致雪崩击穿，电流急剧上升。
转移特性公式
恒流区的漏极电流近似为：
$$
ID = I{DSS} left(1 - frac{U_{GS}}{VP}right)
$$
其中，(I{DSS})为饱和电流，(V_P)为夹断电压。

四、应用领域

场效应管广泛用于放大电路（如射频放大器）、开关电路（如电源管理芯片）及集成电路（如CPU、存储器）。其低功耗特性使其在便携式电子设备中尤为重要。

参考资料

场效应管定义与分类：
结构与工作原理：
特性与公式：