奥维辛斯基效应英文解释翻译、奥维辛斯基效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 ovshinsky effect

分词翻译：

奥的英语翻译：

abstruse; profound

维的英语翻译：

dimension; maintain; preserve; thought; tie up
【化】 dimension

辛的英语翻译：

laborious; pungent; suffering

斯的英语翻译：

this
【化】 geepound

基的英语翻译：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【医】 base; basement; group; radical

效应的英语翻译：

effect
【医】 effect

专业解析

奥维辛斯基效应（Ovshinsky Effect）是凝聚态物理学中的重要概念，指非晶态半导体材料（如硫系玻璃）在特定电压阈值下表现出的可逆电学开关特性。该效应由美国物理学家斯坦福·奥夫辛斯基（Stanford Ovshinsky）于1957年首次发现，其核心机制为电场诱导下非晶材料中电子局域态与扩展态的转变。

从汉英词典角度解析：

术语构成：中文“奥维辛斯基效应”对应英文“Ovshinsky Effect”，属于音译+意译组合词，其中“奥维辛斯基”为人名音译，“效应”对应“Effect”。
物理本质：当施加电压超过阈值时，非晶半导体材料电阻突然降低3-4个数量级，形成导通状态；撤去电压后恢复高阻态（美国专利US3179772）。
应用延伸：该效应奠定了相变存储器（PCM）的理论基础，其材料特性被应用于可擦写光盘（CD-RW）和神经形态计算芯片（参考《Nature Materials》2007年综述）。

权威文献参考：

原始发现文献：Ovshinsky S.R. Phys. Rev. Lett. 1968, 21(20) 1450-1453
技术应用验证：Energy Conversion Devices公司技术白皮书（1969年备案文档）
基础理论阐释：美国物理学会《现代物理评论》1983年专题报告

网络扩展解释

关于“奥维辛斯基效应”（可能源于英文“Ovshinsky effect”），目前公开资料中并无直接对应的术语。不过，根据名称推测，可能与斯坦福·奥维辛斯基（Stanford Ovshinsky）的研究相关。他是美国著名物理学家和发明家，专注于非晶半导体材料和能源技术领域。以下是结合其贡献的可能解释方向：

1.可能指代的现象

奥维辛斯基最著名的发现是非晶半导体中的可逆电学开关效应，即在非晶硫系材料（如硫族玻璃）中，通过施加电压可使其从高电阻态（非晶态）快速转变为低电阻态（晶态），且过程可逆。这种现象成为相变存储器（PCM）等技术的基础。

2.科学意义

该效应突破了传统晶体半导体的限制，证明非晶材料也能实现高效电子操控，推动了新型存储设备、太阳能电池和氢能存储等领域的发展。

3.实际应用

相变存储器：利用材料相变实现数据存储，速度快、寿命长（如Intel的3D XPoint技术）。
薄膜太阳能电池：非晶硅材料用于低成本、柔性太阳能板。
镍氢电池：奥维辛斯基团队开发的镍氢电池曾广泛应用于混合动力汽车。

4.名称可能的混淆

由于中文翻译差异，“奥维辛斯基效应”可能存在拼写变体（如“奥夫辛斯基效应”）。若涉及其他领域，建议提供更多上下文以进一步确认。

如需更精确的解释，建议提供术语的英文原文或具体应用场景。