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传输线畸变英文解释翻译、传输线畸变的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 line distortion

分词翻译:

传输线的英语翻译:

transmission line
【计】 transmission line
【化】 transmission line (TL)

畸变的英语翻译:

distortion
【计】 distortion
【化】 deformation at constant volume; distortion
【医】 aberratio; aberration

专业解析

传输线畸变(Transmission Line Distortion)的汉英词典式解析

在电子工程与通信领域,传输线畸变指电信号在传输线(如电缆、波导等)中传播时,因线路特性导致的信号波形失真现象。其英文对应术语为Transmission Line Distortion,核心含义是信号在传输过程中因阻抗不匹配、损耗、延迟等因素发生非理想变化,导致接收端信号与原始信号出现偏差。

一、畸变成因与类型

  1. 频率相关损耗(Frequency-Dependent Loss)

    传输线导体和介质的损耗随频率升高而增加,导致信号高频分量衰减更显著(趋肤效应与介质损耗)。例如,同轴电缆在GHz频段可能因导体电阻和介质极化损耗产生幅度畸变。

    来源:微波工程经典教材《Microwave Engineering》

  2. 相位畸变(Phase Distortion)

    信号不同频率分量的传播速度差异(色散效应)造成相位偏移。在数字通信中,这可能导致码间干扰(ISI),例如光纤中的模间色散或微带线的频率相关相移。

    来源:IEEE论文《Analysis of Signal Distortion in High-Speed PCBs》

  3. 阻抗不连续(Impedance Discontinuity)

    连接器、弯曲或端接失配会引发信号反射,叠加在原始信号上形成振铃(ringing)或台阶畸变。例如,PCB走线直角转弯导致的阻抗突变。

    来源:高速数字设计权威指南《High-Speed Digital Design》

二、数学表征与影响

畸变程度可通过传递函数量化:

$$

H(omega) = e^{-alpha(omega)l} cdot e^{-jbeta(omega)l}

$$

其中 $alpha(omega)$ 为衰减常数(dB/m),$beta(omega)$ 为相移常数(rad/m),$l$ 为传输线长度。理想无畸变传输需满足 $alpha(omega) propto sqrt{omega}$ 且 $beta(omega) propto omega$,实际线路常偏离此条件。

三、工程测量与抑制


权威参考来源:

  1. David M. Pozar, Microwave Engineering, 4th Ed., Wiley.
  2. Howard Johnson, High-Speed Digital Design, Prentice Hall.
  3. Agilent, Time Domain Reflectometry Theory, Application Note.

网络扩展解释

传输线畸变是指信号在传输线(如PCB线路、电缆等)中传播时,因线路特性或外界干扰导致的波形失真现象。以下是详细解释:

一、定义与表现

传输线畸变表现为信号波形与原始形态的差异,例如信号上升沿/下降沿变缓、振铃(振荡)、反射叠加等。这种现象在高频信号传输中尤为明显,可能引发数据错误或系统不稳定。

二、主要成因

  1. 阻抗不匹配
    当传输线与负载阻抗不一致时,信号会在连接处发生反射,反射波与原始信号叠加形成畸变。这是最常见的成因。

  2. 传输线寄生参数
    线路的分布电容、电感会导致信号延迟和衰减,尤其在长距离传输时更为显著。

  3. 外界干扰
    电磁干扰(EMI)可能耦合到传输线中,叠加在原始信号上造成波形畸变。

三、抑制措施

  1. 缩短引线长度
    将PCB引线控制在25cm以内,减少信号延迟和反射。

  2. 阻抗匹配设计
    通过端接电阻或调整线宽,使传输线特性阻抗与负载阻抗匹配,抑制反射。

  3. 优化布线结构
    减少过孔数量(建议≤2个),避免因结构突变引入额外阻抗。

四、应用场景

常见于高速数字电路(如DDR内存布线)、通信电缆设计等领域。例如,USB 3.0接口的差分线对需严格匹配阻抗,以避免数据包错误。

如需进一步了解具体计算方法(如传输线方程),可参考电磁场理论中的电报方程: $$ frac{partial V}{partial x} = -Lfrac{partial I}{partial t}
frac{partial I}{partial x} = -Cfrac{partial V}{partial t} $$ 其中$L$和$C$分别为单位长度电感和电容。

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