傳輸線畸變英文解釋翻譯、傳輸線畸變的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 line distortion

分詞翻譯：

傳輸線的英語翻譯：

transmission line
【計】 transmission line
【化】 transmission line (TL)

畸變的英語翻譯：

distortion
【計】 distortion
【化】 deformation at constant volume; distortion
【醫】 aberratio; aberration

專業解析

傳輸線畸變（Transmission Line Distortion）的漢英詞典式解析

在電子工程與通信領域，傳輸線畸變指電信號在傳輸線（如電纜、波導等）中傳播時，因線路特性導緻的信號波形失真現象。其英文對應術語為Transmission Line Distortion，核心含義是信號在傳輸過程中因阻抗不匹配、損耗、延遲等因素發生非理想變化，導緻接收端信號與原始信號出現偏差。

一、畸變成因與類型

頻率相關損耗（Frequency-Dependent Loss）
傳輸線導體和介質的損耗隨頻率升高而增加，導緻信號高頻分量衰減更顯著（趨膚效應與介質損耗）。例如，同軸電纜在GHz頻段可能因導體電阻和介質極化損耗産生幅度畸變。

來源：微波工程經典教材《Microwave Engineering》
相位畸變（Phase Distortion）
信號不同頻率分量的傳播速度差異（色散效應）造成相位偏移。在數字通信中，這可能導緻碼間幹擾（ISI），例如光纖中的模間色散或微帶線的頻率相關相移。

來源：IEEE論文《Analysis of Signal Distortion in High-Speed PCBs》
阻抗不連續（Impedance Discontinuity）
連接器、彎曲或端接失配會引發信號反射，疊加在原始信號上形成振鈴（ringing）或台階畸變。例如，PCB走線直角轉彎導緻的阻抗突變。

來源：高速數字設計權威指南《High-Speed Digital Design》

二、數學表征與影響

畸變程度可通過傳遞函數量化：

H(omega) = e^{-alpha(omega)l} cdot e^{-jbeta(omega)l}

其中 $alpha(omega)$ 為衰減常數（dB/m），$beta(omega)$ 為相移常數（rad/m），$l$ 為傳輸線長度。理想無畸變傳輸需滿足 $alpha(omega) propto sqrt{omega}$ 且 $beta(omega) propto omega$，實際線路常偏離此條件。

三、工程測量與抑制

時域反射計（TDR）：通過發射階躍信號并檢測反射波定位阻抗失配點。
均衡技術（Equalization）：使用預加重或接收端均衡器補償高頻損耗，如SerDes電路中的FFE/DFE模塊。
來源：安捷倫技術白皮書《TDR Fundamentals》

權威參考來源：

David M. Pozar, Microwave Engineering, 4th Ed., Wiley.
Howard Johnson, High-Speed Digital Design, Prentice Hall.
Agilent, Time Domain Reflectometry Theory, Application Note.

網絡擴展解釋

傳輸線畸變是指信號在傳輸線（如PCB線路、電纜等）中傳播時，因線路特性或外界幹擾導緻的波形失真現象。以下是詳細解釋：

一、定義與表現

傳輸線畸變表現為信號波形與原始形态的差異，例如信號上升沿/下降沿變緩、振鈴（振蕩）、反射疊加等。這種現象在高頻信號傳輸中尤為明顯，可能引發數據錯誤或系統不穩定。

二、主要成因

阻抗不匹配
當傳輸線與負載阻抗不一緻時，信號會在連接處發生反射，反射波與原始信號疊加形成畸變。這是最常見的成因。
傳輸線寄生參數
線路的分布電容、電感會導緻信號延遲和衰減，尤其在長距離傳輸時更為顯著。
外界幹擾
電磁幹擾（EMI）可能耦合到傳輸線中，疊加在原始信號上造成波形畸變。

三、抑制措施

縮短引線長度
将PCB引線控制在25cm以内，減少信號延遲和反射。
阻抗匹配設計
通過端接電阻或調整線寬，使傳輸線特性阻抗與負載阻抗匹配，抑制反射。
優化布線結構
減少過孔數量（建議≤2個），避免因結構突變引入額外阻抗。

四、應用場景

常見于高速數字電路（如DDR内存布線）、通信電纜設計等領域。例如，USB 3.0接口的差分線對需嚴格匹配阻抗，以避免數據包錯誤。

如需進一步了解具體計算方法（如傳輸線方程），可參考電磁場理論中的電報方程： $$ frac{partial V}{partial x} = -Lfrac{partial I}{partial t}
frac{partial I}{partial x} = -Cfrac{partial V}{partial t} $$ 其中$L$和$C$分别為單位長度電感和電容。