低杂讯放大器英文解释翻译、低杂讯放大器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 low-noise amplifier

hang down; low; lowness
【医】 hyp-; hypo-

noise

amplifier; magnifier
【计】 amplifier; expandor; recording amplifier
【化】 amplifier
【医】 amplifier

低杂讯放大器（Low Noise Amplifier, LNA）是电子工程领域中用于微弱信号放大的关键器件，其核心功能是在引入最小附加噪声的前提下，提升接收系统的信噪比（SNR）。在汉英词典中，该术语对应英文为“Low Noise Amplifier”，缩写为LNA。

工作原理与技术特性

LNA通常位于射频接收链的前端，采用高电子迁移率晶体管（HEMT）或异质结双极晶体管（HBT）等低噪声器件。噪声系数（Noise Figure）是其核心参数，定义为输入信噪比与输出信噪比的比值，可用公式表示为：

NF = 10 cdot log{10}left(frac{SNR{in}}{SNR_{out}}right)

现代LNA的噪声系数可达0.5 dB以下（来源：IEEE微波理论与技术期刊）。

应用场景

关键技术演进

近年基于氮化镓（GaN）材料的LNA在功率耐受性和线性度方面取得突破，部分军用型号可承受10 W入射功率（来源：美国电气电子工程师协会2024年射频集成电路研讨会报告）。低温工作设计（如77 K）进一步将噪声系数降低至0.3 dB量级，已应用于射电天文领域。

低噪声放大器（Low-Noise Amplifier, LNA）是一种专门用于放大微弱信号且自身噪声极低的电子器件，主要应用于信号接收系统的前端。以下是详细解释：

降低系统噪声
LNA通过优化电路设计和半导体材料（如砷化镓），将自身产生的热噪声和散粒噪声降至最低。其噪声系数（NF）通常在0.5-2dB，显著优于普通放大器。
噪声温度公式
接收系统的总噪声温度与LNA性能直接相关，公式为：
$$
T_s = T_e + frac{T_a}{L_a} + left(1 - frac{1}{L_a}right)T_o
$$
其中，(T_e)为LNA噪声温度，(T_a)为天线噪声，(L_a)为馈线损耗，(T_o=293K)为环境温度。若馈线损耗增加0.1dB，系统噪声温度约上升6.7K。

如需更深入的技术参数或具体型号，可参考电子工程领域的专业文献或器件手册。