结式二极管英文解释翻译、结式二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 junction diode

分词翻译：

结的英语翻译：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【医】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

式的英语翻译：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【医】 F.; feature; formula; Ty.; type

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

结式二极管（Junction Diode），中文又称PN结二极管，是半导体器件中最基本的结构，由一块P型半导体和一块N型半导体通过特殊工艺紧密结合形成PN结，并在两端引出电极构成。其核心特性是单向导电性，即只允许电流从阳极（P区）流向阴极（N区），反向则呈现高阻态。

核心特性与工作原理

PN结形成
当P型（空穴为主）与N型（电子为主）半导体接触时，界面处载流子扩散形成耗尽层（空间电荷区），产生内建电场，阻止多数载流子继续扩散，达到动态平衡。
正向偏置导通
阳极接正电压、阴极接负电压时，外电场削弱内建电场，耗尽层变窄，多数载流子扩散形成电流（正向电流$I_F propto e^{qV/kT}$）。
反向偏置截止
阳极接负电压、阴极接正电压时，外电场增强内建电场，耗尽层变宽，仅少数载流子漂移形成微小反向饱和电流（$I_S$），近似绝缘。
击穿现象
反向电压超过击穿电压（$V_{BR}$）时，发生雪崩或齐纳击穿，电流急剧增大（需限流保护）。

关键参数与工程应用

整流作用：利用单向导电性将交流电转换为直流电，如电源适配器中的桥式整流电路。
开关特性：正向导通等效低电阻，反向截止等效高电阻，用于数字电路逻辑门。
结电容（$C_J$）：耗尽层电荷变化等效电容，影响高频响应速度，分为势垒电容（$C_B$）和扩散电容（$C_D$）。
温度效应：正向压降（$V_F$）负温度系数（约$-2text{mV}/^circtext{C}$），反向饱和电流（$I_S$）正温度系数。

术语中英对照

中文术语	英文术语
结式二极管	Junction Diode
PN结	PN Junction
耗尽层	Depletion Region
正向偏置	Forward Bias
反向偏置	Reverse Bias
击穿电压	Breakdown Voltage ($V_{BR}$)
反向饱和电流	Reverse Saturation Current ($I_S$)

权威参考来源：

Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals (Addison-Wesley, 1996), PN结物理模型章节。
Texas Instruments, Diodes Fundamentals (技术手册 TIDU986), 偏置特性分析。
ON Semiconductor, Diode Applications Guide (文档号 AND9166), 整流电路设计案例。
IEEE Xplore, "Avalanche Breakdown in Silicon Diodes" (Journal of Applied Physics, Vol. 32), 击穿机制研究。

网络扩展解释

结式二极管（又称结型二极管）是一种基于PN结结构的半导体器件，其核心由P型半导体和N型半导体结合形成。以下是详细解释：

一、基本结构

PN结构成：由两种不同导电类型的半导体材料（P型富空穴，N型富电子）通过特殊工艺结合而成。
电极引脚：包含两个端子，P端为阳极（A），N端为阴极（K），电流只能从阳极流向阴极。

二、工作原理

单向导电性：正向偏置时（阳极接高电位），PN结导通电流；反向偏置时，电流几乎被阻断。
击穿特性：包括齐纳击穿（用于稳压二极管）和雪崩击穿（用于高压场景）。

三、主要类型与应用

整流/检波二极管：利用单向导电性转换交流为直流。
稳压二极管：通过反向击穿特性稳定电压。
开关二极管：快速切换导通与截止状态，用于数字电路。
发光二极管（LED）：特殊结型结构，通电时发光。

四、材料特性

硅（Si）：常用材料，反向击穿电压高，适用于通用场景。
锗（Ge）：导电性好但漏电流大，多用于高频电路。

五、与其他二极管的区别

结式二极管特指基于PN结的传统型器件，而肖特基二极管等新型器件依赖其他物理原理（如金属-半导体接触）。

总结来看，结式二极管是半导体技术的基础元件，其特性由PN结的物理机制决定，广泛应用于电子电路的整流、稳压、信号处理等领域。