接面场效晶体管英文解释翻译、接面场效晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 junction field effect transistor

分词翻译：

接的英语翻译：

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

场效晶体管的英语翻译：

【电】 field-effect transistor

专业解析

接面场效晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）是一种利用电场效应控制电流的单极型半导体器件，其核心工作原理是通过调节栅极与沟道之间的耗尽层宽度来改变导电通道的电阻。与双极型晶体管不同，JFET仅依赖多数载流子（电子或空穴）进行导电，因此具有输入阻抗高、噪声低的特点。

从结构上看，JFET由掺杂半导体材料构成，主要分为N沟道和P沟道两种类型。以N沟道JFET为例，其包含三个电极：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。栅极与沟道之间通过反向偏置的PN结形成耗尽区，当栅极电压（$V_{GS}$）变化时，耗尽区宽度随之改变，从而控制漏极电流（$I_D$）的导通程度。这一特性可用公式描述为：

ID = I{DSS} left(1 - frac{V_{GS}}{VP}right)

其中$I{DSS}$是饱和漏电流，$V_P$为夹断电压。

JFET广泛应用于模拟电路领域，例如高阻抗输入放大器、压控电阻和低频噪声敏感电路。其优势在于线性度优于MOSFET，且抗辐射能力较强。不过，由于制造工艺限制，JFET的集成度通常低于现代CMOS器件。

参考来源：

《微电子电路》（第7版），Adel S. Sedra与Kenneth C. Smith著，Oxford University Press
IEEE Transactions on Electron Devices期刊论文《JFET特性分析》

网络扩展解释

接面场效晶体管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）是场效应晶体管（FET）的一种类型，其核心结构基于PN结的电场效应控制电流。以下是详细解释：

1.基本定义与分类

JFET属于单极型晶体管（仅由多数载流子导电），通过栅极电压调节导电沟道的宽度，从而控制漏极-源极电流。根据导电沟道的材料，JFET可分为：

N沟道JFET：以N型半导体为导电沟道；
P沟道JFET：以P型半导体为导电沟道。

2.结构特点

三个电极：栅极（G）、源极（S）、漏极（D）。栅极与导电沟道之间通过PN结隔离。
工作原理：当栅极施加反向偏置电压时，PN结的耗尽层会扩展，缩小导电沟道的截面积，最终控制电流大小。这种电压控制方式无需栅极电流，因此输入阻抗极高（可达10⁸~10⁹Ω）。

3.核心优势

低噪声与低功耗：由于仅多数载流子参与导电，避免了双极型晶体管中载流子复合产生的噪声；
热稳定性好：无二次击穿现象，适合高温或大功率波动环境；
简单驱动：电压控制特性使其驱动电路设计更简单。

4.应用场景

JFET常用于以下领域：

模拟信号放大：如高保真音频放大器；
开关电路：利用其快速开关特性；
高阻抗输入级：如测试仪器中的前置放大器。

5.与其他FET的对比

与MOSFET的区别：JFET通过PN结控制沟道，而MOSFET依赖绝缘栅极的电场效应（如二氧化硅层）。因此，JFET的输入阻抗更高，但集成度较低。
适用功率范围：JFET通常用于中小功率（10kW以下），而功率MOSFET适合更高功率场景。

如需进一步了解JFET的具体参数或电路设计，可参考电子工程教材或半导体器件手册。